[发明专利]高结合强度的引线框架、封装器件的制作工艺及其产品在审

专利信息
申请号: 202210238556.9 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN114464589A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 雒继军;江超;林品旺;邱焕枢;徐周;刘耀文 申请(专利权)人: 佛山市蓝箭电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/603
代理公司: 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 代理人: 资凯亮;陆应健
地址: 528000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 结合 强度 引线 框架 封装 器件 制作 工艺 及其 产品
【权利要求书】:

1.一种高结合强度的引线框架,其特征在于,包括框架体以及间隔分布于所述框架体的框架单元,所述框架单元包括粘片基岛、第一功能性引脚、第二功能性引脚和固定引脚;

所述第一功能性引脚对称分布在所述粘片基岛的左右两侧,且所述第一功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第一功能性引脚的另一端位于所述粘片基岛的上侧或下侧;

所述第二功能性引脚的一端与所述框架体相连接,所述第二功能性引脚的另一端与所述粘片基岛的后端相连接,所述固定引脚的一端与所述框架体相连接,所述固定引脚的另一端与所述粘片基岛的前端相连接;

所述第一功能性引脚包括用于包封在塑封料内的功能部和位于塑封料外的折弯部,所述功能部的左右两侧分别设有倒钩角和凸点帽尖;

所述粘片基岛的表面和所述第一功能性引脚的功能部的背面均设有第一进料凹槽,所述粘片基岛的背面设有第二进料凹槽。

2.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述倒钩角和所述凸点帽尖均设置于所述功能部靠近所述折弯部的一侧,且所述倒钩角设置于所述功能部远离所述粘片基岛的一侧,所述凸点帽尖设置于所述功能部靠近所述粘片基岛的一侧。

3.根据权利要求2所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述功能部远离所述折弯部的一侧还设有凹陷卡口,且所述凹陷卡口位于所述功能部远离所述粘片基岛的侧边沿。

4.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述固定引脚与所述粘片基岛的连接处设置有朝向所述固定引脚的内部凹陷的颈部卡口。

5.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一功能性引脚的功能部的表面以及所述粘片基岛与所述固定引脚的交接处的表面均设有金属镀层;

所述粘片基岛的表面于所述金属镀层的左右两侧分别设有所述第一进料凹槽,所述第一功能性引脚的功能部对应所述金属镀层的背面设有所述第一进料凹槽。

6.根据权利要求5所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一进料凹槽的形状为圆球状,所述第一进料凹槽的槽口的宽度<所述第一进料凹槽的直径宽度;

位于所述粘片基岛的所述第一进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3,位于所述第一功能性引脚的功能部的所述第一进料凹槽的深度≤所述第一功能性引脚的功能部的厚度的2/3。

7.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述粘片基岛的背面对称设置有所述第二进料凹槽,且所述第二进料凹槽沿左右方向设置,所述第二进料凹槽的纵截面的形状为倒梯形;

所述第二进料凹槽的深度≤所述粘片基岛的厚度的2/3。

8.根据权利要求1所述的高结合强度的引线框架,其特征在于,所述第一进料凹槽与所述第二进料凹槽的内表面均为磨砂面。

9.一种封装器件的制备工艺,其特征在于,使用如权利要求1~8任意一项所述的高结合强度的引线框架,包括以下步骤:

步骤S1、粘片:在粘片基岛点上粘片材料,将芯片放置到框架单元对应的粘片材料的位置上,全部框架单元粘片完毕后进行固化;

步骤S2、压焊:使用引线将芯片的焊接区与框架单元相应的引脚进行连接;

步骤S3、塑封:将步骤S2的待制品用高分子塑封料包封起来,固化后脱模成型;

步骤S4、热老化:将塑封成型的产品进行热老化反应;

步骤S5、去氧化光亮:在引脚上沉积一层锡层;

步骤S6、成型/分离:将整排经过上述步骤后形成的电子器件产品,在成型模具的冲压下进行成型/分离,得到单只的封装器件。

10.一种封装器件,其特征在于,使用如权利要求9所述的封装器件的制作工艺制作得到。

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