[发明专利]带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：包括低密度布线的基板、高密度RDL布线的Si中介层以及中密度RDL布线的有机介电层，所述Si中介层内嵌于所述基板表面，所述有机介电层采用扇出面板级封装于所述Si中介层及所述基板表面且与所述基板及所述Si中介层电性连接；

所述低密度布线的线宽线距大于所述中密度RDL布线的线宽线距，所述中密度RDL布线的线宽线距大于所述高密度RDL布线的线宽线距。

2.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述基板为FCBGA基板，包括芯层以及压合堆栈于所述芯层两侧表面的若干层增层线路层，各层所述增层线路层及所述芯层间通过镭射开孔及孔内镀金属进行电性连接。

3.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述低密度布线的线宽线距大于8μm，所述中密度RDL布线的线宽线距介于8μm～1.5μm，所述高密度RDL布线的线宽线距小于1.5μm。

4.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述有机介电层包括交替堆栈的多层聚酰亚胺及多层中密度RDL布线，各层所述中密度RDL布线间通过蚀刻开孔其间的聚酰亚胺及孔内镀金属进行电性连接。

5.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述Si中介层和所述有机介电层设于所述基板上表面，所述基板下表面设有锡球垫，所述有机介电层的上表面接点设有锡铜凸块。

6.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述中密度RDL布线的线宽线距随距离待安装内存芯片的位置的距离减小而减小。

7.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述基板上表面对应所述Si中介层的位置形成空腔，所述Si中介层与所述空腔间的间隙填入树脂。

8.根据权利要求1所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构，其特征在于：所述Si中介层的表面接点设有金属凸体，所述Si中介层在内嵌于所述基板时，所述金属凸体与所述基板的表面接点共面。

9.一种用于制造根据权利要求1～8中任一项所述的带有Si与有机中介层的先进封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

制作高密度RDL布线的Si中介层；

制作低密度布线的基板，对应所述Si中介层的位置于所述基板上表面开设空腔；

将所述Si中介层内嵌于所述空腔内；

将内嵌有所述Si中介层的所述基板下表面黏在载具上，上表面采用扇出面板级封装制作若干层中密度RDL布线的有机介电层，使所述有机介电层的RDL布线与所述Si中介层及所述基板电性连接；

于所述Si中介层的上表面接点制作锡铜凸块；

移除所述载具，切成单颗。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述基板为FCBGA基板，制作所述FCBGA基板的步骤包括：

制作基板芯层，通过在所述芯层上开通孔、镀金属以导通所述芯层两侧表面的电路；

于所述芯层的两侧表面分别压合堆栈若干层增层线路层，各层所述增层线路层及所述芯层间通过镭射开孔及孔内镀金属进行电性连接。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述Si中介层的上表面接点设有金属凸体，在将所述Si中介层内嵌于所述空腔内之后，于所述Si中介层与所述空腔之间填入树脂，于所述Si中介层及所述基板上表面继续压合增层线路层，所述增层线路层间镭射开孔内镀金属部分的高度与所述金属凸体的高度一致。