[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体工件，所述半导体工件包括：

半导体工件顶侧；

半导体工件底侧，所述半导体工件底侧与所述半导体工件顶侧相对；

第一区域，所述第一区域位于所述半导体工件底侧并且具有第一导电类型和第一区域掺杂物浓度；

第二区域，所述第二区域邻近所述第一区域并且具有所述第一导电类型和第二区域掺杂物浓度；

第三区域，所述第三区域邻近所述第二区域并且具有所述第一导电类型并且在具有第三区域峰值掺杂物浓度的所述第三区域的厚度上方具有第三区域掺杂物浓度分布；和

第四区域，所述第四区域邻近所述第三区域并且具有所述第一导电类型和第四区域掺杂物浓度；

其中：

所述第三区域峰值掺杂物浓度大于所述第二区域掺杂物浓度和所述第四区域掺杂物浓度；

第五区域，所述第五区域位于所述半导体工件顶侧且邻近所述第四区域并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

第一导体，所述第一导体耦接到所述第五区域且邻近所述半导体工件顶侧；和

第二导体，所述第二导体耦接到所述第一区域且邻近所述半导体工件底侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第三区域峰值掺杂物浓度位于所述第三区域的所述厚度的中心部分处。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第三区域掺杂物浓度分布在所述第三区域的所述厚度上具有钟形曲线形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一区域和所述第二区域在半导体衬底内；

所述第三区域是离子注入区域；

所述第四区域是所述半导体衬底上的外延区域；并且

所述第四区域掺杂物浓度大于所述第二区域掺杂物浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第三区域峰值掺杂物浓度大于1.0×10¹⁴个原子/cm³并且小于1.0×10¹⁵个原子/cm³；并且

所述第四区域掺杂物浓度小于1.0×10¹⁴个原子/cm³并且接近所述第三区域。

6.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

阴极区域，所述阴极区域具有第一导电类型和阴极区域掺杂物浓度；

电荷存储区域，所述电荷存储区域覆盖所述阴极区域并且具有所述第一导电类型和小于所述阴极区域掺杂物浓度的电荷存储区域掺杂物浓度；

缓冲区域，所述缓冲区域覆盖所述电荷存储区域并且具有所述第一导电类型、缓冲区域厚度、缓冲区域掺杂物浓度分布以及缓冲区域峰值掺杂物浓度；

漂移区域，所述漂移区域覆盖所述缓冲区域并且具有所述第一导电类型和漂移区域掺杂物浓度；和

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的阳极区域，所述阳极区域邻近所述漂移区域；

其中：

所述缓冲区域峰值掺杂物浓度大于所述电荷存储区域掺杂物浓度并且大于所述漂移区域掺杂物浓度；并且

所述缓冲区域峰值掺杂物浓度与所述电荷存储区域间隔开并且与所述漂移区域间隔开。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述缓冲区域峰值掺杂物浓度接近所述缓冲区域厚度的中心部分。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述阴极区域和所述电荷存储区域在半导体衬底内。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述漂移区域是外延区域；并且

所述缓冲区域是离子注入区域。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述缓冲区域厚度在25微米至60微米的范围内；

所述缓冲区域峰值掺杂物浓度大于1.0×10¹⁴个原子/cm³并且小于2.0×10¹⁵个原子/cm³；并且

所述缓冲区域掺杂物浓度分布具有跨所述缓冲区域厚度的钟形曲线形状。