[发明专利]一种半导体加热盘有效
申请号: | 202210241549.4 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN114678297B | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 张洋;杨仕品;孙先淼 | 申请(专利权)人: | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人: | 储振 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 加热 | ||
1.一种半导体加热盘,包括:底座,以及底部具有敞口的盖体,所述底座横向一侧内部设置工作台组件,及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件,其特征在于,
盖体下方区域设置分隔罩,所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体,及连接所述分隔罩的第一连接柱,所述盖体顶部设置接头,所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道,及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口;
所述底座顶部设置与所述盖体连接的支撑块,及内部设置连接工作台组件的支撑柱;
所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体,及连接所述导流盘的第二连接柱,所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道,及与所述通气管道连通的进气口;
所述导流盘开设若干导流孔,所述导流盘下方区域形成第三腔体,导流盘的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙,所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通,以通过所述第三腔体连通第一腔体;
所述工作台组件包括:连接所述支撑柱顶端的底块,所述底块顶部设置加热盘,及设置所述底块与所述加热盘之间的加热区,纵向贯穿所述底块与所述加热区连接的加热导线,所述加热盘上设置若干吸附块,底块外部设置与底块底部连接的侧边框;
所述驱动组件包括:气缸,所述气缸顶端设置第一连接块,所述第一连接块靠近所述底块的一侧设置第二连接块,所述第二连接块远离第一连接块的一端连接环形叉杆,所述环形叉杆上装配密封罩;
所述气缸沿纵向驱动所述第一连接块向上运动,所述第一连接块带动所述第二连接块使所述环形叉杆进行抬升运动,以带动所述密封罩抵持所述盖体并形成密封腔体。
2.根据权利要求1所述的半导体加热盘,其特征在于,所述底座靠近驱动组件的一侧垂直设置导块。
3.根据权利要求1所述的半导体加热盘,其特征在于,
所述底块包括:连接加热区的壳体,所述壳体内部围设形成中空腔。
4.根据权利要求2所述的半导体加热盘,其特征在于,所述第二连接块靠近所述导块的一侧设置与所述导块上作线性滑动的滑动件,以引导所述第二连接块滑动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造