[发明专利]一种半导体加热盘有效
申请号: | 202210241549.4 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN114678297B | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 张洋;杨仕品;孙先淼 | 申请(专利权)人: | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人: | 储振 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 加热 | ||
本发明提供了一种半导体加热盘,包括:底座,以及底部具有敞口的盖体,底座横向一侧内部设置工作台组件,及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件,盖体下方区域设置分隔罩,盖体与分隔罩之间的区域形成第一腔体,及连接分隔罩的第一连接柱,盖体顶部设置接头,盖体内设置供气体排出第一腔体的抽气通道,及被设置接头内与抽气通道连通的抽气口。通过申请实现晶圆与反应气体均匀接触,对反应气体进行回收利用,避免造成反应气体的浪费,并且能够分隔加热腔体,降低热量损失,而且当反应气体气压较大时,能够起到缓冲均化的作用。
技术领域
本发明涉及半导体生产制造设备领域,尤其涉及一种半导体加热盘。
背景技术
在半导体生产制造过程中,需要用到半导体生产制造设备中的加热盘来对执行匀胶工艺后的晶圆进行软烘,并通过向腔室内输入加热气体来对晶圆进行加热处理。在现有的技术中,晶圆难以与反应气体均匀接触,也不便于对反应气体进行回收利用,造成反应气体的浪费,并且传统晶圆加热盘所形成的加热腔体太大,具有热量损失,而且当反应气体气压较大时,难以起到缓冲均化的作用。
有鉴于此,有必要对现有技术中的晶圆等半导体器件进行加热的装置予以改进,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于揭示一种半导体加热盘,用于解决现有技术中的半导体加热盘所存在的诸多缺陷,尤其是为了实现晶圆与反应气体均匀接触,对反应气体进行回收利用,避免造成反应气体的浪费,并且能够分隔加热腔体,降低热量损失,而且当反应气体气压较大时,能够起到缓冲均化的作用。
为实现上述目的,本发明提供了一种半导体加热盘,包括:所述底座横向一侧内部设置工作台组件,及远离所述工作台组件的一侧内部设置驱动组件,
盖体下方区域设置分隔罩,所述盖体与所述分隔罩之间的区域形成第一腔体,及连接所述分隔罩的第一连接柱,所述盖体顶部设置接头,所述盖体内设置供气体排出所述第一腔体的抽气通道,及被设置所述接头内与所述抽气通道连通的抽气口。
作为本发明的进一步改进,所述分隔罩内部设置容纳导流盘的第二腔体,及连接所述导流盘的第二连接柱,所述接头设置供气体注入所述第二腔体的通气管道,及与所述通气管道连通的进气口。
作为本发明的进一步改进,所述导流盘开设若干导流孔,所述导流盘下方区域形成第三腔体,导流盘的边缘处与所述分隔罩之间形成供气体排出的间隙,所述第二腔体通过所述间隙及导流孔与第三腔体相连通,以通过所述第三腔体连通第一腔体。
作为本发明的进一步改进,所述底座顶部设置与所述盖体连接的支撑块,及内部设置连接工作台组件的支撑柱,所述底座靠近驱动组件的一侧垂直设置导块。
作为本发明的进一步改进,所述工作台组件包括:连接所述支撑柱顶端的底块,所述底块顶部设置加热盘,及设置所述底块与所述加热盘之间的加热区,纵向贯穿所述底块与所述加热区连接的加热导线,所述加热盘上设置若干吸附块,底块外部设置与底块底部连接的侧边框。
作为本发明的进一步改进,所述底块包括:连接加热区的壳体,所述壳体内部围设形成中空腔。
作为本发明的进一步改进,所述驱动组件包括:气缸,所述气缸顶端设置第一连接块,所述第一连接块靠近所述底块的一侧设置第二连接块,所述第二连接块远离第一连接块的一端连接置于衔接壳内的环形叉杆,所述环形叉杆上装配密封罩。
作为本发明的进一步改进,所述第二连接块靠近所述导块的一侧设置与所述导块上作线性滑动的滑动件,以引导所述第二连接块滑动。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
首先,接头通过与抽气口连通的抽气通道来对第一腔体内的反应气体进行抽取,以便于对反应气体进行回收,提高利用率,避免造成反应气体的浪费。
附图说明
图1为本发明半导体加热盘的立体图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造