[发明专利]一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法

说明书

本发明提供了一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8‑8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；将反应池的溶液进行搅拌；将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；将反应液进入过滤池进行过滤。通过本申请的方法相同量的三氯化铁与传统的氯化镁去除高盐印染废水中的二氧化硅基本一致，但是市场上三氯化铁单价远低于氯化镁的价格，且在实验的过程中使用氯化镁需要将PH调节得更高，即液碱的使用量较多，成本高，而本申请的方式相对氯化镁不需要将PH调节得较高，液碱的使用量较少，并且处理后的硬度更低，处理效果较好，可有效的降低企业处理的成本。

技术领域

本发明涉及废水处理技术领域，具体而言，涉及一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法。

背景技术

印染企业产生的废水进入污水厂，经过物化、生化处理后，进行RO 膜处理得到淡水和浓水。淡水作为中水回用外供企业，浓水进入趋零排放系统分盐并继续浓缩，以提纯氯化钠和硫酸钠回用到印染企业。在趋零排放系统使用膜设备浓缩氯化钠溶液的过程中，二氧化硅的含量也会随膜浓缩倍数的增加而越来越高，因此必须去除二氧化硅，避免硅对膜的破坏。

经过检索发现一些典型的现有技术，如申请号为CN108191106A的专利公开了一种去除废水中二氧化硅的方法，其包括以下步骤：a、调节废水的pH值至10.6-10.9；加入固体氯化镁，搅拌，静置，水中出现絮状沉淀，b、将步骤a得到的废水经陶瓷膜系统过滤，除硅后得到出水。本发明的方法通过在废水中加入氯化镁固体作为除硅剂，使水中的二氧化硅生成絮凝沉淀，并进一步通过陶瓷膜过滤后得到处理后的出水，能够有效去除废水中的二氧化硅，并且可以使出水中悬浮物的含量小于1mg/L；本发明的方法适用于硅含量较高的废水，去除率可以高达97％，并且整个工艺流程简单，处理成本低廉。

但是，由此可见，对于其实际应用中的亟待处理的实际问题(目前使用氯化镁进行处硅的方法成本较高)还有很多未提出具体的解决方案。

发明内容

为了克服现有技术的不足提供了一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，本发明的具体技术方案如下：

一种高盐印染废水去除二氧化硅的方法，包括有以下步骤：

S1、在反应池中投放三氯化铁、液碱以及聚丙，调节PH7.8-8.5经过反应池进行反应、搅拌、絮凝；

S2、将反应池的溶液进行搅拌；

S3、将搅拌后的反应液放入沉淀池进行沉淀；

S4、将反应液进入过滤池进行过滤。

优选的，在步骤S1中，所述三氯化铁的浓度为33％,2000PPM，所述液碱的浓度为32％,1000PPM，所述聚丙的浓度为0.32‰,2000PPM。

优选的，所述步骤S2中，对高盐印染废水进行搅拌的搅拌时间为1 分钟。

优选的，所述步骤S3中，反应液放入斜管池进行沉淀时间为10分钟。

优选的，在步骤S1中，所述的反应池中设置有搅拌装置，所述搅拌装置用于搅拌混合药剂以及废水。

优选的，将S3反应液放入斜管池以及将S4中反应液放入斜管池，均分别通过加压泵以及管道进行传输。

优选的，所述步骤S3中，所述沉淀池为斜管沉淀池。

优选的，所述步骤S4中，所述过滤池为砂滤池。

本发明所取得的有益技术效果包括：