[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 202210241929.8 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN115113113A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 山地勇一郎;原川修;龟野诚 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;梁策
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,其特征在于,

具备:

传感器芯片,其具有:形成于元件形成面上的第1磁性体层、第2磁性体层、位于由所述第1磁性体层以及所述第2磁性体层之间的磁隙形成的磁路上的磁敏元件;

第1聚磁体,其覆盖所述第1磁性体层;以及

第2聚磁体,其包含:主体部,覆盖位于所述传感器芯片的所述元件形成面的相反侧的背面;第1突出部,与所述主体部连接且覆盖与所述传感器芯片的所述元件形成面以及所述背面正交的侧面;和第2突出部,与所述第1突出部连接且覆盖所述第2磁性体层,

所述第2突出部具有面向所述第2磁性体层的第1表面,

所述第1表面的平坦性高于所述第2聚磁体的其他至少一个表面。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,

所述第1表面与所述传感器芯片的间隙为50μm以下。

3.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,

所述第1表面的算术平均波度Wa为50μm以下。

4.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,

还具备:搭载有所述传感器芯片、所述第1聚磁体以及所述第2聚磁体的基板,

所述第2聚磁体还具有面向所述基板的第2表面,

所述第2表面的平坦性高于所述第2聚磁体的其他至少一个表面。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的磁传感器,其特征在于,

所述第2聚磁体由铁氧体材料构成。

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