[发明专利]磁传感器在审
申请号: | 202210241929.8 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN115113113A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 山地勇一郎;原川修;龟野诚 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;梁策 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 | ||
本发明的技术问题在于,在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中,提高磁场的检测灵敏度。本发明的磁传感器(10)具备:传感器芯片(20),其具有磁性体层(M1~M3)以及磁敏元件(R1~R4);聚磁体(30),其覆盖磁性体层(M1);以及聚磁体(40),其包含覆盖传感器芯片(20)的背面(22)的主体部(A)、覆盖传感器芯片的侧面(23、24)的突出部(B1、B2)、和覆盖磁性体层(M2、M3)的突出部(C1、C2)。突出部(C1、C2)具有面向磁性体层(M2、M3)的内面(47),内面(47)的平坦性高于聚磁体(40)的其他至少一个表面。如上所述,由于聚磁体(40)的内面(47)的平坦性提高,因此,能够减小聚磁体(40)的内面(47)与传感器芯片(20)的间隙,由此能够提高磁场的检测灵敏度。
技术领域
本发明涉及一种磁传感器,特别地,涉及一种具备用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器。
背景技术
磁传感器广泛用于电流计和磁编码器等中。为了提高检测灵敏度,有时在磁传感器中设置有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体。例如,在专利文献1中公开了一种磁传感器,其具有:第1聚磁体(top splitter:上部分离器),其覆盖配置于元件形成面的中央部的磁性体层;和第2聚磁体(back splitter:背部分离器),其覆盖传感器芯片的背面及侧面,并且覆盖配置于元件形成面的两端部的磁性体层。
专利文献1中记载的磁传感器使用上部分离器和背部分离器双方,因此,与仅使用上部分离器的情况相比,能够高灵敏度地检测与元件形成面垂直方向的磁场。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-158508号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在仅对由铁氧体等构成的块(block)进行切削加工来制作背部分离器的方法中,难以高灵敏度地检测极微弱的磁场。
因此,本发明的目的在于,在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中,提高磁场的检测灵敏度。
用于解决问题的手段
本发明的磁传感器,其特征在于,具备:传感器芯片,其具有:形成于元件形成面上的第1磁性体层、第2磁性体层、位于由第1磁性体层以及第2磁性体层之间的磁隙形成的磁路上的磁敏元件;第1聚磁体,其覆盖第1磁性体层;以及第2聚磁体,其包含:主体部,覆盖位于传感器芯片的元件形成面的相反侧的背面;第1突出部,与主体部连接且覆盖与传感器芯片的元件形成面以及背面正交的侧面;和第2突出部,与第1突出部连接且覆盖第2磁性体层,第2突出部具有面向第2磁性体层的第1表面,第1表面的平坦性高于第2聚磁体的其他至少一个表面。
根据本发明,由于第2聚磁体的第1表面的平坦性提高,因此,能够减小第2聚磁体的第1表面与传感器芯片之间的间隙,由此能够磁场的检测灵敏度提高。
在本发明中,也可以为,第1表面与传感器芯片之间的距离为50μm以下。由此,能够进一步提高磁场的检测灵敏度。
在本发明中,也可以为,第1表面的算术平均波度Wa为50μm以下。由此,在将第1表面推压到传感器芯片的情况下,能够减小两者间的间隙。
也可以为,本发明的磁传感器还具备:搭载有传感器芯片、第1聚磁体以及第2聚磁体的基板,第2聚磁体还具有面向基板的第2表面,第2表面的平坦性高于第2聚磁体的其他至少一个表面。由此,由于第2聚磁体的第2表面几乎没有间隙地紧贴于基板,因此,减少第2聚磁体与基板的摩擦,并且在组装时变得很容易进行使第2聚磁体在基板上滑动而与传感器芯片抵接的操作。
在本发明中,也可以为,第2聚磁体由铁氧体材料构成。铁氧体材料在切断加工的状态下平坦性较低,但是可以通过磨削或研磨选择性地将第1表面实施平坦化。
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