[发明专利]带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法有效
申请号: | 202210243919.8 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114324980B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 罗云;唐红莉;王玮亮;刘冠仲;杨超;孔旭峰 | 申请(专利权)人: | 南京中旭电子科技有限公司 |
主分类号: | G01P21/02 | 分类号: | G01P21/02 |
代理公司: | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人: | 宋方园 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩展 功能 通道 霍尔 传感器 参数 测试 方法 | ||
1.一种带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法,其特征在于,包括控制器以及与所述控制器分别连接的温度控制装置和磁场控制装置,所述温度控制装置和磁场控制装置用于控制多通道霍尔传感器所处环境的温度和磁场,所述控制器分别连接有第一拓展功能接口和第二拓展功能接口,通过以下步骤进行测试,包括:
基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数,控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境,所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数;
基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据,所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息,所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差,所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差;
判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息,则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息;
判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求,则获取多通道霍尔传感器中不同感应芯片的第二测试相位差信息,若所述第二测试相位差信息与第二标准相位差信息相比满足预设要求,则输出多参数测试结果。
2.根据权利要求1所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法,其特征在于,
基于第一拓展功能接口接收第一测试环境参数,控制器基于所述第一测试环境参数控制所述温度控制装置和磁场控制装置构建第一测试环境,所述第一测试环境参数包括第一温度参数和第一磁场参数包括:
控制器获取所述第一温度参数,基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的温度直至第一温度参数;
控制器获取所述第一磁场参数,基于所述温度控制装置改变多通道霍尔传感器所处的磁场强度直至第一磁场参数。
3.根据权利要求1所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法,其特征在于,
基于第二拓展功能接口接收标准相位差值数据,所述标准相位差值数据包括第一标准相位差信息和/或第二标准相位差信息,所述第一标准相位差信息为双输出感应芯片的标准相位差,所述第二标准相位差信息为不同感应芯片之间的标准相位差包括:
所述标准相位差值数据包括多通道霍尔传感器中每个通道的第一维度标识和第二维度标识,所述第一维度标识为相应通道属于双输出感应芯片或单输出感应芯片中的任意一个,所述第二维度标识为相应通道的通道身份标识;
获取标准相位差值数据中具有相同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第一标准相位差信息,所述第一标准相位差信息至少包括第一维度标识;
获取标准相位差值数据中具有不同第一维度标识的两个相应通道的标准相位差得到第二标准相位差信息,所述第二标准相位差信息至少包括两个相应通道的第二维度标识。
4.根据权利要求3所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法,其特征在于,
判断在第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息,则获取多通道霍尔传感器所包括的每个双输出感应芯片的第一测试相位差信息包括:
若第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道输出的电能信息大于预设值,则判断第一测试环境下多通道霍尔传感器的所有通道分别输出电能信息;
获取具有相同第一维度标识所对应的两个通道的电能信息,根据所述所对应的两个通道的电能信息得到第一测试相位差信息。
5.根据权利要求3所述的带扩展功能的多通道霍尔传感器多参数测试方法,其特征在于,
判断第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求包括:
基于所述第一测试相位差信息以及相对应的第一标准相位差信息得到第一差值;
若所述第一差值小于等于第一预设值,则第一测试相位差信息与相对应的第一标准相位差信息相比满足预设要求。
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