[发明专利]具有改进的沟道迁移率的三维晶体管

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

多个鳍片，包括半导体材料并且是隔开的；

栅极介电质，位于该多个鳍片的顶部及侧壁上且位于该多个鳍片之间；

共同的栅极，位于该栅极介电质上方且延伸横跨各该多个鳍片；

连续合并的半导体材料区，位于各该多个鳍片上且位于该栅极介电质上方，其中，该连续合并的半导体材料区与该共同的栅极横向隔开且在各该多个鳍片之间延伸及实体接触，该连续合并的半导体材料区具有面向该共同的栅极的第一侧壁表面及与该第一侧壁表面相对且背对该共同的栅极的第二侧壁表面，其中，该连续合并的半导体材料区的该第一侧壁表面、该多个鳍片的邻近对的相对侧壁表面的第一部分及该栅极介电质的上表面的第一部分至少部分地定义第一空间，该第一空间在该连续合并的半导体材料区与该共同的栅极之间，以及其中，该连续合并的半导体材料区的该第二侧壁表面、该多个鳍片的该邻近对的相对侧壁表面的第二部分及该栅极介电质的该上表面的第二部分至少部分地定义第二空间，该第二空间在该连续合并的半导体材料区的与该第一空间相对的一侧；以及

应力覆盖膜，位于该第一空间中。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该应力覆盖膜至少与该连续合并的半导体材料区的该第一侧壁表面、该多个鳍片的该邻近对的该相对侧壁表面及该栅极介电质的该上表面直接接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该应力覆盖膜包括氮化硅及氧化硅的其中一者。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该连续合并的半导体材料区包括外延硅/锗合金。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该栅极介电质覆盖各该多个鳍片的下侧壁表面。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该连续合并的半导体材料区是位于该共同的栅极的源极区侧的第一连续合并的半导体材料区，该半导体结构还包括位于该共同的栅极的漏极区侧的第二连续合并的半导体材料区。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中，该第二连续合并半导体材料区位于各该多个鳍片上且位于该栅极介电质上方，其中，该第二连续合并的半导体材料区与该共同的栅极横向隔开且在各该多个鳍片之间延伸及实体接触，该第二连续合并的半导体材料区具有面向该共同的栅极的第三侧壁表面及与该第三侧壁表面相对且背对该共同的栅极的第四侧壁表面。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中，该应力覆盖膜是第一应力覆盖膜，该半导体结构还包括位于第三空间中的第二应力覆盖膜，该第三空间至少部分地由该第二连续合并的半导体材料区的该第三侧壁表面、该多个鳍片的邻近对的相对侧壁表面以及该栅极介电质的上表面定义。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该共同的栅极是包括高k介电材料及金属栅极电极的替代栅极结构。