[发明专利]芯片、智能功率模块和空调器在审

专利信息
申请号: 202210248075.6 申请日: 2022-03-14
公开(公告)号: CN114552540A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 傅振宇 申请(专利权)人: 上海美仁半导体有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/08;H02H3/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 单冠飞
地址: 201600 上海市松江区九*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 智能 功率 模块 空调器
【权利要求书】:

1.一种芯片,其特征在于,所述芯片适用于智能功率模块,所述芯片包括:

支撑架;其中,所述支撑架设置在焊盘PAD与所述芯片的衬底之间;

内置的多个比较器;其中,多个所述比较器包括三路单端输入比较器和至少一路双端输入比较器,所述三路单端输入比较器分别用于检测工作电压、工作电流、所述芯片的工作温度,至少一路所述双端输入比较器用于检测电机位置;

内置的温度采样模块;其中,所述温度采样模块用于获取所述芯片的温度。

2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,其中,

所述焊盘PAD的面积大于设定面积;其中,所述设定面积为90微米*90微米;

在所述焊盘PAD上增镀加厚层;其中,所述加厚层的材质为铝。

3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述三路单端输入比较器,包括:

第一比较器,其中,所述第一比较器的输入端接收所述工作电压,所述第一比较器的基准电压端设置第一基准电压,所述第一比较器的输出端在所述工作电压大于所述第一基准电压时,输出电压保护信号,以对所述芯片进行过压保护;

第二比较器,其中,所述第二比较器的输入端接收所述工作电流,所述第二比较器的基准电压端设置第二基准电压,所述第二比较器的输出端在所述工作电流对应的电压大于所述第二基准电压时,输出电流保护信号,以对所述芯片进行过流保护;

第三比较器,其中,所述第三比较器的输入端接收所述芯片的工作温度,所述第三比较器的基准电压端设置第三基准电压,所述第二比较器的输出端在所述芯片的工作温度对应的电压大于所述第三基准电压时,输出温度保护信号,以对所述芯片进行过温保护。

4.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述内置的温度采样模块,包括:

频率发生器,所述频率发生器设置有第一输出端、第二输出端和第三输出端,分别用于输出第一路控制信号、第二路控制信号和第三路控制信号;

温度采样电路,所述温度采样电路分别与所述频率发生器的第一输出端、第二输出端和第三输出端连接,用于根据所述第一路控制信号、第二路控制信号和第三路控制信号,生成温度数字信号。

5.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于,所述温度采样电路,包括:

偏置电流源组,包括第一偏置电流源和第二偏置电流源,其中,所述第一偏置电流源的一端和所述第二偏置电流源的一端分别与电源连接;

第一组单刀双掷开关,包括第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关,其中,所述第一单刀双掷开关的动端与所述第一偏置电流源的另一端连接,所述第二单刀双掷开关的动端与所述第二偏置电流源的另一端连接,所述第一单刀双掷开关的控制端和所述第二单刀双掷开关的控制端均与所述频率发生器的第一输出端连接;

晶体管组,包括第一晶体管和第二晶体管,其中,所述第一晶体管的一端与所述第一单刀双掷开关的第一不动端连接,所述第一晶体管的另一端接地,所述第二晶体管的一端与所述第二单刀双掷开关的第一不动端连接,所述第二晶体管的另一端接地;

第二组单刀双掷开关,包括第三单刀双掷开关和第四单刀双掷开关,其中,所述第三单刀双掷开关的动端通过第一电容与所述第二单刀双掷开关的第二不动端连接,所述第四单刀双掷开关的动端通过第二电容与所述第一单刀双掷开关的第二不动端连接,所述第三单刀双掷开关的控制端和所述第四单刀双掷开关的控制端均与所述频率发生器的第二输出端连接;

斩波稳定放大器电路,所述斩波稳定放大器电路的第一输入端分别与所述第三单刀双掷开关的第一不动端和所述第四单刀双掷开关的第二不动端连接,所述斩波稳定放大器电路的第二输入端分别与所述第三单刀双掷开关的第二不动端和所述第四单刀双掷开关的第一不动端连接,所述斩波稳定放大器电路的第一输出端作为温度采样电路的第一输出端,所述斩波稳定放大器电路的第二输出端作为温度采样电路的第二输出端。

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