[发明专利]半导体器件的深阱电压的控制方法在审
| 申请号： | 202210249399.1 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114822657A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵利川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 赵翠萍;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电压 控制 方法 | ||
1.一种半导体器件的深阱电压的控制方法，所述半导体器件包括第一衬底、设置在所述第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，其特征在于，所述控制方法包括：当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值。
2.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述第一衬底的类型与所述第二阱的类型相同，与所述第一阱的类型相反。
3.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述第一衬底是P衬底，所述第一阱是深N阱，所述第二阱是P阱。
4.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，当停止对所述第二阱施加负电压时，将所述第一阱的电压恢复至所述初始电压。
5.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值，包括：
当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加预设电压，以使所述第一阱的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值。
6.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值，包括：
当对所述第二阱施加负电压时，停止对所述第一阱施加电压，以使所述第一阱的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值。
7.根据权利要求6所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述控制方法进一步包括：在停止对所述第一阱施加电压后，监测所述第一阱电压，若所述第一阱电压小于一设定电压，则将所述设定电压施加于所述第一阱，作为所述第一阱的当前电压。
8.根据权利要求7所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，若所述第一阱电压大于或等于所述设定电压，则保持所述第一阱的当前电压。
9.根据权利要求6所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，对所述第一阱停止施加电压的方法是，断开所述第一阱与电源的电连接。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一衬底、设置在所述第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，和控制电路；
所述控制电路被配置为：当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一衬底的类型与所述第二阱的类型相同，与所述第一阱的类型相反。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一衬底是P衬底，所述第一阱是深N阱，所述第二阱是P阱。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述控制电路具体被配置为：
当停止对所述第二阱施加负电压时，将所述第一阱的电压恢复至所述初始电压。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述控制电路具体被配置为：
当对所述第二阱施加负电压时，对所述第一阱施加预设电压，以使所述第一阱的电压满足所述第一阱的初始电压与所述第一阱的电压之间的电压差大于0且小于所述第二阱施加的负电压的绝对值。
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