[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种正装半导体发光元件，包括：

第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；

透明导电层，位于第二导电型半导体层上；

第一电极和第二电极，分别配置于所述第一导电型半导体层和透明导电层上，并位于半导体发光元件的同一面侧，所述第二电极为p型电极；

至少一条第二电极引线，包括朝向第一电极延伸的延伸段，所述延伸段包括自第二电极向第一电极延伸的第一部分，所述第一部分为朝向第一电极进行直线延伸；

其特征在于：

所述第二电极引线延伸段还包括自所述延伸段的第一部分向第一电极延伸的第二部分，所述第二部分为朝向第一电极进行直线延伸；

所述第二电极引线延伸段的第一部分自延伸方向分为N段（1≤N≤3），在延伸方向宽度呈递减变化，所述第二部分的宽度是固定不变的；

所述二电极引线延伸段的第一部分的长度占第二电极引线直线延伸的长度的20% ~80%。

2.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述N为1，所述第二电极引线延伸段的第一部分的宽度递减，宽度的变化率不变。

3.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在，所述N为2或者3，所述第二电极引线延伸段的第一部分的每段的宽度分别递减，自延伸方向宽度的变化率逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极和第二电极引线延伸段之间还包含第二电极引线连接段，所述第二电极引线连接段向接近第一电极的方向弯曲，所述第二电极引线延伸段和第二电极引线连接段相接处的宽度为第二电极引线连接段起始宽度的75%以上。

5.根据权利要求4所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线为多条，其中至少一条第二电极引线连接段向接近第一电极的方向弯曲，其中一条第二电极引线向接近第一电极的方向直线地延伸。

6.根据权利要求4所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线连接段的宽度是固定不变的，其宽度范围为2um~30um。

7.根据权利要求4所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线连接段的宽度沿着远离第二电极的延伸方向变窄，第二电极引线连接段与第二电极引线延伸段的相接处的宽度为连接段起始宽度的75%~95%。

8.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线延伸段的第二部分的宽度范围为0.5um~10um。

9.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线延伸段的第二部分为直线状地延伸或者向第一电极的方向弯曲地延伸。

10.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线还包含端部，所述第二电极引线的端部连接所述第二电极引线延伸段的第二部分，且宽度固定不变，向靠近第一电极的方向弯曲。

11.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线延伸段的末端至第一电极的距离为20~300 um。

12.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线延伸段的第一部分的长度占第二电极引线直线延伸的长度的20%~60%。

13.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线延伸段的第一部分的长度占第二电极引线直线延伸的长度的40%~80%。

14.根据权利要求1所述的一种正装半导体发光元件，其特征在于，所述第二电极引线连接段的宽度为第二电极引线延伸段第二部分宽度的1.5~3倍。