[发明专利]一种半导体发光元件

说明书

本发明提供一种半导体发光元件，包括：第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极和第二电极，分别配置于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，并位于半导体发光元件的同一面侧；至少一条第二电极引线，包括与所述第二电极连接的连接段和从所述连接段向第一电极延伸的延伸段；其特征在于：所述第二电极引线延伸段具有自所述第二电极引线连接段延伸至逐渐靠近第一电极的第一部分和自第一部分延伸逐渐靠近第一电极的第二部分，所述第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化的，所述第二部分的宽度是固定不变的。本发明第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化，可提升半导体发光元件的过电压冲击性能（EOS性能）。

技术领域

本发明涉及的是一种半导体发光元件，属于半导体光电技术领域。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，同时这些应用也对LED的亮度、发光效率提出了更高的要求。

为了提升LED发光效率，LED芯片设计除了逐步向小电极方面进行优化，还会向细电极引线方面进行优化，以减小挡光面积，提高发光亮度。但是，在较大电流密度下，细电极引线容易导致电流无法实现有效扩展，集中在电极引线与电极连接的一端，电流扩展不均匀、热量局部集中，导致电极和电极引线的连接处断裂，影响LED芯片的可靠性和抗静电能力。

图1为现有的一种正装发光二极管的电极结构的示意图，该正装发光二极管的第一电极和第二电极位于芯片的同一面侧，第二电极引线的连接段的宽度自延伸方向逐渐变窄，连接段的末端宽度约为起始宽度的40%~50%，延伸段的宽度是固定不变的。由于正装发光二极管的散热性较差，且第一电极和第二电极均设置在发光二极管的正面，电流仅能通过正面的电极和电极引线以及透明导电层进行扩散，容易发生电流拥挤。电流经电极和电极引线传导，并通过周围的透明导电层做水平扩散，流经的区域都会产生热量。电极引线前端处于载荷尚未完全扩散开的状态，容易受到集中载荷的影响，表面热沉积，电极连接段和延伸段的连接位置易先引发电极鼓泡烧伤，失去电流导通扩散能力。电极引线的末端处于电流完成电极引线和透明导电层的流转后的区域，该区域已进一步分散了载荷，不易发生烧伤。发光二极管刚刚通上电时，会产生一个瞬态的高负载电流，这更容易加剧电流拥挤，电极引线连接段和延伸段的连接处更容易发生芯片烧伤。

发明内容

为了解决上述问题，本发明设计了一种半导体发光元件，其第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向采用宽度分段变窄或逐渐变窄的方式，呈递减变化的，第二部分宽度固定不变。通过第二电极引线的延伸段宽度自延伸方向为分段式变窄或者线性变窄，电极引线的前端宽度较宽，有助于补偿前端电流扩散的薄弱之处，扩大前端的电流通量，让载荷快速通过，有效分散热量，延迟积热导致的电极鼓泡烧伤的发生，能使半导体发光元件承受更大的载荷，即过电压冲击性能（EOS性能）提升；同时可以避免电极引线的整体宽化设计，减小挡光面积，减小电极引线的吸光或者挡光对亮度的影响。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体发光元件，包括：第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极和第二电极，分别配置于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，并位于半导体发光元件的同一面侧；至少一条第二电极引线，包括与所述第二电极连接的连接段，从所述连接段向第一电极延伸的延伸段；其特征在于：所述第二电极引线延伸段具有自所述第二电极引线连接段延伸至逐渐靠近第一电极的第一部分和自第一部分延伸逐渐靠近第一电极的第二部分，所述第一部分的宽度在延伸方向呈递减变化，所述第二部分的宽度是固定不变的。

优选地，所述第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向以固定的变化率呈线性变窄。

作为本发明的另一种实施方式，优选地，所述第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向分段变窄，每段的宽度是固定不变的或者每段的宽度具有不同的变化率。