[发明专利]一种漏电保护功能自检电路及系统在审
申请号: | 202210251006.0 | 申请日: | 2022-03-15 |
公开(公告)号: | CN114487787A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 周建中;沈国钱;王灿 | 申请(专利权)人: | 上海英发睿盛新能源科技集团有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 涂凤琴 |
地址: | 201600 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漏电 保护 功能 自检 电路 系统 | ||
1.一种漏电保护功能自检电路,其特征在于,包括:
模拟漏电电流产生电路、漏电保护电路、单片机、继电器驱动电路以及功能检测开关电路;
所述模拟漏电电流产生电路与所述漏电保护电路电连接,所述模拟漏电电流产生电路用于对漏电信号进行模拟;
所述漏电保护电路与所述单片机电连接,用于输出所述漏电信号至单片机;
所述单片机分别与所述继电器驱动电路及所述功能检测开关电连接,用于控制所述继电器驱动电路并判断所述漏电保护功能是否正常。
2.根据权利要求1所述的漏电保护自检电路,其特征在于,所述模拟漏电电流产生电路包括:电阻R8、可控硅器件SCR、光耦、电阻R2、晶体管Q1以及穿过感应磁环的导线;
穿过感应磁环的导线A端与所述电阻R8连接;
所述可控硅器件SCR的阳极与所述电阻R8连接,所述可控硅器件SCR的阴极与所述光耦连接,所述可控硅器件SCR的栅极与电源线B端连接;
所述光耦与所述电阻R2并联,使得Q1不工作时光耦两端电压小于0.7V不导通;
所述晶体管Q1的集电极与所述电阻R2连接,所述晶体管Q1的基极与单片机管脚2连接,所述晶体管Q1的发射极与地连接;
当光耦导通并且可控硅器件SCR导通时,220V电流通过模拟漏电电流产生电路产生从电源线A流到B的模拟漏电电流;
所述模拟漏电电流产生电路模拟的漏电电流流过磁环的导线,漏电信号通过磁环线圈感应输入到所述漏电保护电路。
3.根据权利要求1所述的漏电保护自检电路,其特征在于,所述继电器驱动电路包括:第一继电器、第二继电器、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、MOS管Q2以及MOS管Q3;
所述单片机管脚3与所述电阻R4一端连接,所述电阻R4另一端与所述MOS管Q2的栅极连接,所述MOS管Q2的源极与所述第一继电器连接;
所述单片机管脚4与所述电阻R6一端连接,所述电阻R6另一端与所述MOS管Q3的栅极连接,所述MOS管Q3的源极与所述第二继电器连接;
所述电阻R5的一端连接在所述电阻R4与所述MOS管Q2的栅极之间,所述电阻R7的一端连接在所述电阻R6与所述MOS管Q3的栅极之间,所述电阻R5的另一端和所述R7的另一端与功能检测开关电路连接;
所述功能检测开关电路,包括:电阻R1和MOS管Q4;
所述电阻R5的另一端和所述R7的另一端与所述MOS管Q4的源极连接;
所述电阻R1的一端与所述MOS管Q4的栅极连接,所述电阻R1的另一端与所述MOS管Q4的漏极连接,并与地连接;
所述继电器驱动电路与所述功能检测开关电路串联。
4.根据权利要求1所述的漏电保护自检电路,其特征在于,所述所述单片机分别与所述继电器驱动电路及所述功能检测开关电连接,用于控制所述继电器驱动电路并判断所述漏电保护电路是否正常,包括:
当单片机的4号管脚的电压大于2V并且不大于3.3V,则判断所述漏电保护电路工作正常,即可正常充电。
5.根据权利要求4所述的漏电保护自检电路,其特征在于,所述所述单片机分别与所述继电器驱动电路及所述功能检测开关电连接,用于控制所述继电器驱动电路并判断所述漏电保护电路是否正常,包括:
当单片机的4号管脚的电压不大于2V,或,当单片机的4号管脚的电压大于3.3V,则判断所述漏电保护电路工作不正常,发送报警信号并且无法充电。
6.一种漏电保护功能自检系统,其特征在于,包括:如权利要求1-5任一项所述的漏电保护功能自检电路。
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