[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：

所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；

所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述接地装置包括同轴设置且均导电的第一法兰、环形弹性件和第二法兰，所述环形弹性件设于所述第一法兰与所述第二法兰之间；所述第一法兰的顶面与所述内衬的底面电连接，所述环形弹性件的两端分别连接所述第一法兰的底面和所述第二法兰的顶面，所述基座包括设于其周向侧面的环形承台，所述第二法兰的底面与所述环形承台的顶面电连接。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件的数量为多个，所述环形弹性件沿所述接地装置的径向依次布设。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件为波纹管。

5.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形弹性件为C276哈氏合金结构件。

6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述第一法兰的顶面和所述第二法兰的底面中，至少有一者设有呈环状延伸的第一安装槽，所述第一安装槽内设有第二密封件。

7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述第一安装槽的内侧设置有第二安装槽，所述第二安装槽的内槽面设有导电镀层，且所述第二安装槽内设有良导体件。

8.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括多个第一紧固件和多个第二紧固件，所述第一法兰通过所述多个第一紧固件与所述内衬连接，所述多个第一紧固件呈环状均匀排布；所述第二法兰通过所述多个第二紧固件与所述环形承台连接，所述多个第二紧固件呈环状均匀排布。

9.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬的底面设有第一环形卡槽，所述第一法兰至少部分安装于所述第一环形卡槽内；和/或，所述环形承台的顶面设有第二环形卡槽，所述第二法兰至少部分安装于所述第二环形卡槽内。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的反应腔室。