[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。上述方案可提升反应腔室中内衬的接地性能。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体工艺设备。

背景技术

在半导体制造过程中，需要应用到等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺即是指通过辉光放电方式形成包括各种活性粒子的等离子体，待刻蚀晶片的表面与活性粒子接触而发生反应，形成挥发性气态生成物而被去除，从而完成图案转印的技术。为了防止腔体内壁被等离子体刻蚀，则需要在腔体内设置内衬，内衬可以改善腔体内等离子体的流场，并对等离子体起到屏蔽作用。

由于内衬的接地性能会影响其对等离子体的分布限制和屏蔽作用，相关技术采取了在内衬上侧进行接地的手段，以提升内衬的接地性能。但是，此种结构布局会导致内衬的上下两侧存在较大的电势差，而造成射频回路不稳定，如此就会削弱内衬对等离子体的约束。可见，相关技术的反应腔室仍然存在内衬的接地性能较差的问题。

发明内容

本申请公开一种反应腔室及半导体工艺设备，以提升反应腔室中内衬的接地性能。

为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：

第一方面，本申请提供一种反应腔室，应用于半导体工艺设备，所述反应腔室包括腔体、内衬、基座和接地装置，其中：

所述内衬、所述基座和所述接地装置均设于所述腔体中；

所述接地装置为环形导电结构件，且沿其轴向可伸缩设置，在所述接地装置的轴向上，所述接地装置的第一端与所述内衬的底面电连接，所述接地装置的第二端与所述基座电连接，所述基座接地。

第二方面，本申请提供一种半导体工艺设备，包括本申请第一方面所述的反应腔室。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

在本申请公开的反应腔室中，内衬可通过接地装置接地而实现其上下两侧同时接地，如此就防止了内衬的上下两侧存在较大的电势差，可有效提升内衬上电压的分布均匀性。与此同时，由于本申请的接地装置为环形结构件，沿接地装置的轴向，其第一端可与内衬的底面形成呈环状的电连接路径，相较于单点接地、单侧接地等方式，本申请的接地装置无疑能够提供更为均衡的接地效果，以进一步地提升内衬上电压的分布均匀性。

正是因为本申请的接地装置能够有效确保内衬的电压均匀分布，从而可确保射频回路保持稳定，以优化内衬对等离子体的约束屏蔽作用。由此可见，本申请的反应腔室中内衬具备良好的接地性能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例公开的反应腔室的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的内衬接地的原理示意图；

图3为本申请实施例公开的内衬与腔体的配合关系示意图；

图4为本申请实施例公开的接地装置的结构示意图；

图5为本申请实施例公开的反应腔室的俯视图；

图6为本申请实施例公开的接地装置与腔体的结构示意图；

图7为本申请实施例公开的接地装置的剖视图；

图8为本申请实施例公开的另一种反应腔室的结构示意图。