[发明专利]存储单元、存储阵列及加工方法

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，

所述第一二极管包括n阱以及与所述n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，所述第二二极管包括p阱以及与所述p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；

所述第一N型掺杂区与字线连接，所述第二P型掺杂区与RESET线连接；

所述第一P型掺杂区以及所述第二N型掺杂区分别通过电阻存储器与位线连接。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，

在所述第一P型掺杂区上设置有第一接触孔，在所述第二N型掺杂区上设置有第二接触孔；

所述第一接触孔和所述第二接触孔分别与第一电极连接；

所述电阻存储器设置在所述第一电机与所述位线之间。

3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，

所述电阻存储器通过第二电极与所述位线连接；

所述电阻存储器限位在所述第一电极和所述第二电极之间。

4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，

所述电阻存储器包括相变材料层和阻变材料层；并且，

所述电子存储器的状态包括高阻态和低阻态。

5.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，

在所述第一N型掺杂区和所述第一P型掺杂区之间，以及相邻的两第一P型掺杂区之间均设置有第一隔离槽；

在所述第二N型掺杂区和所述第二P型掺杂区之间，以及相邻的两第二N型掺杂区之间均设置有第二隔离槽。

6.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，

在所述n阱和所述p阱之间设置有第三隔离槽。

7.如权利要求6所述的存储单元，其特征在于，

所述第一隔离槽和所述第二隔离槽的深度小于所述第三隔离槽的深度。

8.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括设置在所述n阱和所述p阱下方的场氧化区；其中，

所述n阱和所述p阱的导电类型与所述场氧化区的导电类型不同。

9.一种存储阵列，其特征在于，包括m*n个如权利要求1至8任一项所述的存储单元；其中，m*n≥2，并且n和m均为正整数。

10.一种存储阵列加工方法，其特征在于，包括：

在预设基板上通过离子注入，形成n阱和p阱；

在所述n阱和所述p阱的结合处或边缘处设置第三隔离槽，所述第三隔离槽用于隔离所述n阱和所述p阱；

在所述n阱和所述p阱上设置与所述第三隔离槽延伸方向相垂直的第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一隔离槽用于隔离位于所述n阱内的第一二极管的PN结，所述第二隔离槽用于隔离位于所述p阱内的第二二极管的PN结；

基于离子注入方式，在所述n阱和所述p阱内形成N+和P+的有源区域。