[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置在审
| 申请号： | 202210259414.0 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114613855A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵坤;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;黄杰;贺家煜;李菲菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 刘继富;王春伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其包括有源层、源极、漏极和栅极，所述栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层，所述辅助层的材料选自TiN或Ti，所述辅助层的厚度为10nm-60nm。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的栅极，其中，所述铝合金层的厚度为200nm-700nm。
3.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：设置有源层、源极、漏极和栅极；
所述栅极的制备方法包括以下步骤：在铝合金层的表面上形成辅助层得到所述栅极，所述辅助层的材料选自TiN或Ti，所述辅助层的厚度为10nm-60nm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，所述在铝合金层的表面上形成辅助层的步骤包括：在铝合金层的表面上通过等离子溅射沉积法形成辅助层，其中，所述等离子溅射沉积法采用的保护气体为氮气和氩气的混合气体。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述辅助层的材料为TiN，所述氮气的体积浓度为50％-85％。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述辅助层的材料为Ti，所述氮气的体积浓度为0％。
7.一种显示面板，其包括基底以及设置在基底上的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极，以及在所述显示面板的厚度方向上与所述像素电极相对设置的公共电极，所述薄膜晶体管为权利要求1-2中任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其包括权利要求7所述的显示面板。
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