[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置，薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极，栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层，辅助层的材料选自TiN或Ti，辅助层的厚度为10nm‑60nm。本申请提供薄膜晶体管，具有低电阻且无hillock问题的栅极，从而有利于提高显示面板和显示装置的显示性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

有机发光显示装置由于其轻薄、可弯曲、功耗低、色域广、对比度高等优点，被列为极具发展前景的下一代显示技术，被广泛应用于手机、平板电脑、显示器等显示装置。其中，薄膜晶体管作为有机发光显示装置中的重要组成部分，会直接影响有机发光显示装置的性能。

目前，薄膜晶体管中的栅极多采用Mo金属，其电阻较大，并且随着栅极走线的增长，扫描信号延迟会导致没有足够的栅极开启时间，使得显示面板或显示装置出现显示效果差、亮度不均一等问题。同时，铝金属由于其具有较低的电阻，也被用作栅极材料，但是铝金属层极易受外界环境中的水汽、温度等的影响，在表面形成凸起(hillock)，也会影响显示面板或显示装置的显示性能。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制备方法、薄膜晶体管、显示面板、显示装置，以降低栅极的电阻并改善hillock问题，进而提高显示面板或显示装置的显示性能。具体技术方案如下：

本申请的第一方面提供了一种薄膜晶体管，其包括有源层、源极、漏极和栅极，所述栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层，所述辅助层的材料选自TiN或Ti，所述辅助层的厚度为10nm-60nm。

在本申请的一些实施方案中，所述铝合金层的厚度为200nm-700nm。

本申请的第二方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：设置有源层、源极、漏极和栅极；所述栅极的制备方法包括以下步骤：在铝合金层的表面上形成辅助层得到所述栅极，所述辅助层的材料选自TiN或Ti，所述辅助层的厚度为10nm-60nm。

在本申请的一些实施方案中，其中，所述在铝合金层的表面上形成辅助层的步骤包括：在铝合金层的表面上通过等离子溅射沉积法形成辅助层，其中，所述等离子溅射沉积法采用的保护气体为氮气和氩气的混合气体。

在本申请的一些实施方案中，所述辅助层的材料为TiN，所述氮气的体积浓度为50％-85％。

在本申请的一些实施方案中，所述辅助层的材料为Ti，所述氮气的体积浓度为0％。

本申请的第三方面提供了一种显示面板，其包括基底以及设置在基底上的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极，以及在所述显示面板的厚度方向上与所述像素电极相对设置的公共电极，所述薄膜晶体管为前述任一实施方案中的薄膜晶体管。

本申请的第四方面提供了一种显示装置，其包括前述任一实施方案中的显示面板。

本申请实施例的有益效果：

本申请提供的薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极，栅极包括层叠设置的铝合金层和辅助层，辅助层的材料选自TiN或Ti，辅助层的厚度为10nm-60nm。本申请提供薄膜晶体管，具有低电阻且无hillock问题的栅极，从而有利于提高显示面板和显示装置的显示性能。

当然，实施本申请的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。