[发明专利]薄膜晶体管基板在审
| 申请号： | 202210264790.9 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114695387A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重;世良贤二;田中淳;何水;林飞鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
绝缘基板；和
导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部；
氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及
上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间，
其中，所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻，
其中，所述低电阻区域在所述绝缘基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质，
其中，引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值，以及
其中，所述一个或多个峰值位于所述氧化物半导体层的外部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述一个或多个峰值中的一个峰值位于所述上绝缘层内。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括位于所述氧化物半导体层下方的下绝缘层，
其中，所述一个或多个峰值中的一个峰值位于所述下绝缘层内。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，
所述一个或多个峰值是第一峰值和第二峰值，
所述一个或多个峰值中的所述一个峰值为所述第一峰值，以及
所述第二峰值位于所述上绝缘层内。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述一个或多个峰值中的最接近所述氧化物半导体层的峰值的位置与所述氧化物半导体层在所述层叠方向上的中心之间的距离大于或等于所述氧化物半导体层的厚度。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，引起电阻降低的所述杂质为硼。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括：
多晶硅层，所述多晶硅层位于所述下绝缘层的下方，且包括多晶硅薄膜晶体管的沟道区域；以及
含氢的氮化硅层，所述含氢的氮化硅层位于所述多晶硅层和所述下绝缘层之间。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，
每个所述低电阻区域包括位于所述顶栅电极部的端部之外的过渡区域，以及
所述过渡区域中的载流子密度随着所述过渡区域与所述沟道区域的距离的增大而增大。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，通过对所述过渡区域的扫描式电容显微术分析而获得的dC/dV信号值具有负最小值。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括：
下绝缘层，所述下绝缘层位于所述氧化物半导体层下方；以及
多晶硅层，所述多晶硅层位于所述下绝缘层的下方，且包括多晶硅薄膜晶体管的沟道区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
