[发明专利]薄膜晶体管基板在审

申请号：	202210264790.9	申请日：	2022-03-17
公开（公告）号：	CN114695387A	公开（公告）日：	2022-07-01
发明（设计）人：	竹知和重;世良贤二;田中淳;何水;林飞鹏	申请（专利权）人：	武汉天马微电子有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291	代理人：	黄志华;何月华
地址：	430205 湖北省武***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管
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【说明书】：

本发明涉及一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间。所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻。所述低电阻区域在所述基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质。引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值。所述一个或多个峰值位于所述氧化物半导体层的外部。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板。

背景技术

将低温多晶硅薄膜晶体管(Low-Temperature Polysilicon Thin-FilmTransistor，LTPS TFT)和氧化物半导体TFT合并到一个电路中的技术已用于实际应用。例如，提出了包括低温多晶硅TFT和氧化物半导体TFT的像素电路。将具有高迁移率的低温多晶硅TFT和产生小泄漏电流的氧化物半导体TFT结合在一个电路中可以改善该电路的特性以及降低该电路的功耗。

氧化物半导体TFT的半导体层包括沟道区域和夹置沟道区域的源极/漏极区域。源极/漏极区域是其电阻低于沟道区域的电阻的低电阻区域。上述低电阻区域可以通过将氧化物半导体层暴露于特定元素的等离子体而形成，或者通过借助离子注入用杂质离子掺杂该氧化物半导体层而形成。

发明内容

在降低氧化物半导体层的电阻时，重要的是保持所设计的沟道长度。因此，当采用离子注入来降低氧化物半导体层的电阻时，精确控制注入的离子的浓度分布是重要的。如果保持在氧化物半导体层中的杂质的浓度过高，则沟道长度会变短，从而导致具有短沟道的TFT发生故障。

根据本发明的一个方面的薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间。所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻。所述低电阻区域在所述基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质。引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值。所述一个或多个峰位于所述氧化物半导体层的外部。

本发明的一个方面改进了氧化物半导体薄膜晶体管的特性。

应当理解，前述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且不限制本发明。

附图说明

图1示意性地示出了OLED显示设备的结构示例；

图2示出了像素电路的结构示例；

图3示意性地示出了TFT基板的一部分的剖面结构；

图4示出了CMOS电路的示例；

图5示意性地示出了CMOS电路的剖面结构的示例；

图6A示出了制造氧化物半导体TFT的方法的示例；

图6B示出了制造氧化物半导体TFT的方法的示例；

图6C示出了制造氧化物半导体TFT的方法的示例；

图6D示出了制造氧化物半导体TFT的方法的示例；