[发明专利]用于多腔室的温度控制系统以及温度控制方法

说明书

本申请提供一种用于多腔室的温度控制系统以及温度控制方法，该温度控制系统包括：流体供应部，用于供应流体；多个腔室，用于通过所述流体对置于其中的半导体器件进行处理；至少一个第一温控单元，设置于多个腔室与流体供应部之间，并且用于将待导入各个腔室的流体控制为对应的工作温度；以及多个第二温控单元，设置于多个腔室的出口端，并且用于将导出各个腔室并待回流至流体供应部的流体控制为低于对应的工作温度的预设温度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域。具体地，本申请涉及一种用于多腔室的温度控制系统以及温度控制方法。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，通常需要执行多次的刻蚀工艺，用于刻蚀工艺的刻蚀液的温度对刻蚀后的半导体器件的形貌以及形成的形貌的质量起到关键的作用。在实际制造工艺中，往往需要对待导入刻蚀腔室的刻蚀液进行加热以满足刻蚀所需的温度。

应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景，然而，这些内容并不一定属于在本申请的申请日之前本领域技术人员已知或理解的内容。

发明内容

本申请的一方面提供一种用于多腔室的温度控制系统，该温度控制系统包括：流体供应部，用于供应流体；多个腔室，用于通过所述流体对置于其中的半导体器件进行处理；至少一个第一温控单元，设置于所述多个腔室与所述流体供应部之间，并且用于将待导入各个腔室的所述流体控制为对应的工作温度；以及多个第二温控单元，设置于所述多个腔室的出口端，并且用于将导出各个腔室并待回流至所述流体供应部的流体控制为低于对应的所述工作温度的预设温度。

在本申请的一个实施方式中，所述多个腔室被划分为多个腔室组，每个所述腔室组包括的至少两个腔室共享同一入口端，其中，所述第一温控单元对应设置于所述腔室组共享的所述入口端。

在本申请的一个实施方式中，所述第一温控单元包括加热器和第一温度控制器，所述第一温度控制器用于将经由所述加热器加热并待导入各个腔室组的所述流体控制为彼此不同的工作温度。

在本申请的一个实施方式中，每个所述第一温控单元对应设置于每个所述腔室的入口端，并且所述第一温控单元用于将待导入各个腔室的所述流体控制为彼此不同的工作温度。

在本申请的一个实施方式中，每个所述第二温控单元对应设置于每个所述腔室的出口端，并且所述第二温控单元用于将导出各个腔室的所述流体控制为相同的所述预设温度。

在本申请的一个实施方式中，所述第二温控单元包括冷却器和第二温度控制器，所述第二温度控制器用于将导出各个腔室并经由各个所述冷却器冷却的所述流体控制为相同的所述预设温度。

在本申请的一个实施方式中，所述多个腔室被划分为多个腔室组，每个所述腔室组包括的至少两个腔室共享同一出口端，其中，每个所述第二温控单元对应设置于每个所述腔室组的所述出口端，并且所述第二温控单元用于将导出各个腔室组的所述流体控制为相同的所述预设温度。

在本申请的一个实施方式中，所述温度控制系统还包括：过滤单元，设置于所述流体供应部与所述第一温控单元之间，并且用于滤除待导入所述腔室的所述流体中的杂质。

本申请的另一方面还提供一种用于多腔室的温度控制方法，该方法包括：在多个腔室与流体供应部之间设置至少一个第一温控单元，以将从所述流体供应部导出并待导入各个腔室的所述流体控制为对应的工作温度，所述腔室放置有待所述流体处理的半导体器件；以及在所述多个腔室的出口端设置多个第二温控单元，以将导出各个腔室并待回流至所述流体供应部的流体控制为低于对应的所述工作温度的预设温度。

在本申请的一个实施方式中，所述多个腔室被划分为多个腔室组，每个所述腔室组包括的至少两个腔室共享同一入口端，其中，设置至少一个温控单元包括：在每个所述腔室组共享的所述入口端设置一个所述第一温控单元。