[发明专利]一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法有效
申请号: | 202210279736.1 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114373693B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 曾婵;邓培基 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 taiko 机台 装载 位置 扫描 成功率 方法 | ||
1.一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将厚度测试块和Taiko晶圆分别放入晶圆传送盒的两个不同卡槽上,获取所述两个不同卡槽间的第一距离值;
S2:按照预设旋转规则,以所述Taiko晶圆的中轴线为旋转轴旋转所述Taiko晶圆,当所述Taiko晶圆的定位点每旋转到一个候选标定对齐位置时,获取所述厚度测试块和所述Taiko晶圆之间在所述晶圆传送盒内的第二距离值;其中,所述第一距离值和所述第二距离值为所述厚度测试块和所述Taiko晶圆对应的同一预设距离测量处测量得到;
S3:根据若干个所述第二距离值与所述第一距离值,获取第三距离值;并按照预设计算规则,根据所述第三距离值获取所述Taiko晶圆的所述定位点的标定对齐位置;
S4:在所述机台装载台进行扫描前,按照所述标定对齐位置,将待扫描Taiko晶圆的定位点在所述晶圆传送盒内对齐。
2.如权利要求1所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,步骤S1包括:
S11:将所述厚度测试块放入所述晶圆传送盒的第一卡槽上;
S12:将所述Taiko晶圆放入所述晶圆传送盒的第二卡槽上,其中,所述第二卡槽位于所述第一卡槽上方,所述第一距离值为所述第二卡槽和所述第一卡槽之间的距离。
3.如权利要求1所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,步骤S2包括:
S21:根据所述Taiko晶圆的所述定位点的预设基准位置和所述候选标定对齐位置的个数,获取所述Taiko晶圆的每次的旋转角度;并根据所述预设基准位置和所述旋转角度,确定所述Taiko晶圆的所述定位点的每一候选标定对齐位置;
S22:以所述Taiko晶圆的中轴线为旋转轴顺时针或逆时针转动所述Taiko晶圆,当所述定位点旋转至每一所述候选标定对齐位置时,获取所述厚度测试块和所述Taiko晶圆之间在所述晶圆传送盒内的第二距离值。
4.如权利要求3所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,所述预设距离测量处为所述晶圆传送盒的开口处。
5.如权利要求3所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,所述预设基准位置为所述晶圆的定位点位于所述晶圆传送盒的盖门处;
步骤S21中,所述Taiko晶圆的每次的旋转角度计算方法包括:将所述Taiko晶圆旋转一周的角度数360度除以所述候选标定对齐位置的个数得到的商,作为所述每次的旋转角度;
步骤S21中,所述根据所述预设基准位置和所述旋转角度,确定所述Taiko晶圆每一候选标定对齐位置,包括:
S211:将所述预设基准位置作为第一个候选标定对齐位置;并将第一个候选标定对齐位置与所述Taiko晶圆圆心的连线,作为下一候选标定对齐位置的参考线;
S212:将所述下一候选标定对齐位置的参考线以所述Taiko晶圆的中轴线为旋转轴顺时针或逆时针转动一所述旋转角度,得到所述参考线旋转后与所述Taiko晶圆的圆周的交点位置,将所述交点位置作为当前候选标定对齐位置;
S213:并将当前候选标定对齐位置与所述Taiko晶圆圆心的连线,作为下一候选标定对齐位置的参考线;执行步骤S212,直至获取所有的候选标定对齐位置。
6.如权利要求5所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,步骤S213中所述候选标定对齐位置的个数≥3。
7.如权利要求1所述的一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,其特征在于,步骤S3包括:
S31:分别计算每一所述第二距离值与所述第一距离值的差值的绝对值,得到在每一候选标定对齐位置所述Taiko晶圆的变形量;
S32:将最小的所述变形量对应的所述第二距离值作为所述第三距离值;并根据所述第三距离值得到其对应的所述候选标定对齐位置,将所述候选标定对齐位置作为所述Taiko晶圆的所述定位点的标定对齐位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造