[发明专利]一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法有效
申请号: | 202210279736.1 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114373693B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 曾婵;邓培基 | 申请(专利权)人: | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 taiko 机台 装载 位置 扫描 成功率 方法 | ||
本发明提供一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,包括将厚度测试块和Taiko晶圆分别放入晶圆传送盒的两个不同卡槽上,获取两个卡槽间的第一距离值,并按照预设旋转规则旋转Taiko晶圆至不同候选标定对齐位置,以获取厚度测试块和Taiko晶圆之间在晶圆传送盒内的若干个第二距离值;其次根据若干个第二距离值与第一距离值,获取第三距离值;并根据第三距离值获取Taiko晶圆的定位点的标定对齐位置;最后将待扫描Taiko晶圆的定位点按照标定对齐位置对齐。本发明提供的方法,整个扫描过程无需人工干预,有效提高了变形量大的Taiko薄片晶圆的扫描成功率。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法。
背景技术
金属氧化物半导体器件以其价格低廉,技术成熟,开关速度快,驱动简单等诸多优点被广泛应用在便携电子设备、汽车电子、工业控制等领域。在器件制作最后阶段需要将晶圆减薄到特定厚度。但当12寸晶圆整片减薄到200um以下厚度时,晶圆表现的跟纸张一样柔软,设备的传送能力无法满足自动生产要求。为解决此问题,业界使用只减薄晶圆内部区域同时保留晶圆外圈几毫米不减薄作为晶圆平坦支撑的方法,通过这种工艺制作出来的晶圆称为Taiko晶圆。但是Taiko晶圆仍然会存在变形。受产品设计、生产流程和生产方法差异的影响,不同类型的产品减薄后会表现出不同方向、不同角度、不同程度的变形量。当Taiko晶圆装在晶圆传送盒中时可能会出现晶圆间距不一致的情况。变形量大的Taiko晶圆在机台装载台进行位置扫描时,有很大概率出现位置扫描错误报警,造成机台无法抽取产品,直接影响生产。
现有解决此问题的常规做法是工程师确认报错信息,手动打开晶圆传送盒盖门,调整报错的Taiko晶圆的定位点方向,然后关上盖门将晶圆传送盒重新放于装载台再次进行位置扫描。直至晶圆传送盒中所有Taiko晶圆位置扫描成功。但现有方法存在手动打开晶圆传送盒盖门调整晶圆定位点位置有可能造成Taiko薄片晶圆边缘污染、擦伤或者破损。且人工的方法依靠经验和不断尝试,不能保证成功率,以及不能系统地解决问题。
因此,如何提供一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,以克服现有技术中存在的上述缺陷,日益成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,以解决现有技术存在的变形量大的Taiko晶圆在机台装载台上无法扫描成功,以及通过人工调整的方式效率低下和容易导致Taiko晶圆破损的问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种提高Taiko晶圆在机台装载台位置扫描成功率的方法,包括以下步骤:
S1:将厚度测试块和Taiko晶圆分别放入晶圆传送盒的两个不同卡槽上,获取所述两个不同卡槽间的第一距离值;
S2:按照预设旋转规则,以所述Taiko晶圆的中轴线为旋转轴旋转所述Taiko晶圆,当所述Taiko晶圆的定位点每旋转到一个候选标定对齐位置时,获取所述厚度测试块和所述Taiko晶圆之间在所述晶圆传送盒内的第二距离值;其中,所述第一距离值和所述第二距离值为所述厚度测试块和所述Taiko晶圆对应的同一预设距离测量处测量得到;
S3:根据若干个所述第二距离值与所述第一距离值,获取第三距离值;并按照预设计算规则,根据所述第三距离值获取所述Taiko晶圆的所述定位点的标定对齐位置;
S4:在所述机台装载台进行扫描前,按照所述标定对齐位置,将待扫描Taiko晶圆的定位点在所述晶圆传送盒内对齐。
可选的,步骤S1包括:
S11:将所述厚度测试块放入所述晶圆传送盒的第一卡槽上;
S12:将所述Taiko晶圆放入所述晶圆传送盒的第二卡槽上,其中,所述第二卡槽位于所述第一卡槽上方,所述第一距离值为所述第二卡槽和所述第一卡槽之间的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造