[发明专利]掩模版及其修正方法

权利要求书

1.一种掩模版的修正方法，其特征在于，包括：

提供掩模版，所述掩模版中形成有多个栅极图案，其中，所述多个栅极图案包括设计间距小于设定值的第一栅极图案和第二栅极图案，且所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位置相对，在对所述掩模版进行图案修正时，将所述第一栅极图案靠近所述第二栅极图案的边界的中间部分沿远离所述第二栅极图案的方向外移。

2.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述第一栅极图案为U形，所述第二栅极图案为I形，所述第二栅极图案的一端位于所述第一栅极图案的开口中；在对所述掩模版进行图案修正时，将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案的长边相对的边界的中间部分沿远离所述第二栅极图案的方向外移。

3.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案均沿相同的方向伸长，在对所述掩模版进行图案修正时，将所述第一栅极图案靠近所述第二栅极图案的长边的中间部分沿远离所述第二栅极图案的方向外移。

4.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述栅极图案包括与有源区位置对应的主体区以及位于所述主体区端部的端盖区，所述端盖区与位于有源区侧边的隔离区位置对应；在对所述掩模版进行图案修正时，使得所述端盖区远离所述主体区的端面宽度大于所述主体区的端面宽度。

5.如权利要求4所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述端盖区的俯视形状为梯形，或者，所述端盖区远离所述主体区的端面与其靠近所述主体区的端面圆弧连接。

6.如权利要求4所述的掩模版的修正方法，其特征在于，在所述栅极图案的伸长方向上，所述主体区的长度等于所述有源区的宽度，所述端盖区的长度为10nm~24nm。

7.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，所述设定值为小于等于45nm。

8.如权利要求1所述的掩模版的修正方法，其特征在于，在对所述掩模版进行图案修正时，将所述第一栅极图案靠近所述第二栅极图案的部分边界沿远离所述第二栅极图案的方向外移的移动量为5nm~10nm。

9.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版中形成有多个栅极图案，所述多个栅极图案为经如权利要求1至权利要求8任意一项所述的掩模版的修正方法修正后的图案。