[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

半导体晶粒；

第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；

第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面和所述第一模塑料层上；

第二模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；

绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；以及

第一天线，包括：

第一天线元件，电耦合到所述半导体晶粒，形成在所述第一再分布层结构中；以及

第二天线元件，形成在所述第二模塑料层和所述绝缘覆盖层之间；

所述绝缘覆盖层具有均匀的厚度，并且其中所述第二天线元件的顶表面和侧壁表面由所述绝缘覆盖层共形地覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

第二再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的主动表面上并且电耦合到所述半导体晶粒的主动表面；

第二天线，形成在所述第一模塑料层中，并通过所述第二再分布层结构电耦合到所述半导体晶粒；

通孔结构，形成在所述第一模塑料层中并电耦合在所述第一天线元件和所述第二再分布层结构之间，使得所述半导体晶粒电耦合到所述第一天线元件。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一天线是贴片天线，所述第二天线是偶极天线。

4.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括导电结构，通过所述第二再分布层结构电耦合到所述半导体晶粒。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括粘合层，形成在所述第二模塑料层和所述绝缘覆盖层之间。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘覆盖层由与所述粘合层的材料不同的材料形成。

7.如权利要求1-6任一所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘覆盖层具有位于所述第二天线元件之上第一顶表面和低于所述第一顶表面的第二顶表面，其中从所述第二天线元件的顶表面到所述第一顶表面的厚度等于从所述绝缘覆盖层的底表面到所述第二顶表面的厚度。

8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，从第二天线元件的侧壁表面到所述绝缘覆盖层的所述第一顶表面与所述第二顶表面之间的侧面的厚度等于从所述绝缘覆盖层的底表面到所述第二顶表面的厚度。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

半导体晶粒；

第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；

第二模塑料层，形成在所述半导体晶粒的第一表面和所述第一模塑料层上；

通孔结构，形成于所述第一模塑料层中；

绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；

贴片天线，包括：第一天线元件，形成在所述第一模塑料层和所述第二模塑料层之间，并通过所述通孔结构电耦合到所述半导体晶粒；以及第二天线元件，所述第二天线元件的顶表面和侧壁表面由所述绝缘覆盖层覆盖；以及

偶极天线，形成在所述第一模塑料层中；

其中，所述绝缘覆盖层具有均匀的厚度，并且其中所述第二天线元件的顶表面和侧壁表面由所述绝缘覆盖层共形地覆盖。

10.一种半导体封装结构，包括：

半导体晶粒；

第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；

第二模塑料层，形成在所述半导体晶粒和所述第一模塑料层上；

通孔结构，形成于所述第一模塑料层中；

绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；

一种贴片天线，包括：

贴片天线，包括：第一天线元件，形成在所述第一模塑料层和所述第二模塑料层之间，并通过所述通孔结构电耦合到所述半导体晶粒；以及第二天线元件，形成在所述绝缘覆盖层的底表面，并通过所述第二模塑料层与所述第一天线元件隔开；以及

偶极天线，形成在所述第一模塑料层中；

其中，所述绝缘覆盖层具有均匀的厚度，并且其中所述第二天线元件的顶表面和侧壁表面由所述绝缘覆盖层共形地覆盖。