[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210285956.5 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975260A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 李韦儒;林志昌;郑存甫;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一基板；
一第一半导体通道，位于该基板上；以及
一第二半导体通道，位于该基板上且与该第一半导体通道横向分开；
至少一栅极结构，覆盖并包覆该第一半导体通道与该第二半导体通道；
一第一源极/漏极区，邻接该栅极结构的第一侧上的该第一半导体通道；
一第二源极/漏极区，邻接该栅极结构的第一侧上的该第二半导体通道；以及
一隔离结构，位于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间与之下，且该隔离结构包括：
一第一隔离区，接触该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的下表面；以及
一第二隔离区，接触该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的侧壁，且自该第一隔离区的下表面延伸至该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
