[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210285967.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975261A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱钰婷;周俊诚;王继欣;林群能;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：
执行一干蚀刻工艺以在一源极/漏极接触件上方的一氧化层中形成一凹槽，其中该干蚀刻工艺在该凹槽中导致氟残留；
在该干蚀刻工艺之后，执行一氧化工艺以去除该凹槽中的氟残留；
在去除该凹槽中的氟残留之后，使用一溶剂对该凹槽执行一清洁工艺；以及
在执行该清洁工艺之后，在该凹槽中形成一导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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