[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

本文公开了蚀刻凹槽的改进方法。在一些实施方式中，在干蚀刻源极/漏极接触件上方的氧化物层之后、在清洁之前，氧化氟。因此，在清洁期间形成较少的氢氟酸，这减少了源极/漏极接触件不预期的湿蚀刻。这允许在源极/漏极接触件中形成深度与宽度比在约1.0至约1.4范围的凹槽，并且防止可能由过量氢氟酸引起对源极/漏极下方的硅化物层的损坏。额外或替代地，使用多个湿蚀刻工艺形成凹槽，并且在湿蚀刻工艺之间氧化任何氟残留。因此，每个湿蚀刻的时间可以更短且腐蚀性更小，这允许更好地控制凹槽的尺寸。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，特别涉及具有凹槽的半导体装置的形成方法。

背景技术

一些电子装置，例如处理器、存储器装置或另一种类型的电子装置，包括中段工艺(middle end of line,MEOL)区域，上述区域将前段工艺(front end of line,FEOL)区域中的晶体管电性连接到后段工艺(back end of line,BEOL)区域。中段工艺(MEOL)区域可以包括介电层和形成在介电层中的接触插塞(也称为接触导孔)。接触插塞可以电性连接到前段工艺(FEOL)区域的源极/漏极区和金属栅极。接触插塞可以包括一或多种金属，例如钨、钴、钌或铜。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：执行干蚀刻工艺以在源极/漏极接触件上方的氧化层中形成凹槽，其中干蚀刻工艺在凹槽中导致氟残留。上述方法还包括在干蚀刻工艺之后，执行氧化工艺以去除凹槽中的氟残留。上述方法还包括在去除凹槽中的氟残留之后，使用溶剂对凹槽执行清洁工艺。上述方法还包括在执行清洁工艺之后，在凹槽中形成导电结构。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：源极/漏极接触件，形成在外延层上。上述半导体装置还包括氧化层，形成在源极/漏极接触件上。上述半导体装置还包括导电结构，形成在源极/漏极接触件的凹入部分，其中凹入部分具有深度和宽度，且深度与宽度的比值在大约1.0至大约1.4的范围。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：执行第一湿蚀刻工艺以在氧化层和外延层之间的源极/漏极接触件中形成凹槽，其中第一湿蚀刻工艺在凹槽中导致氟残留。上述方法还包括执行第一氧化工艺以去除凹槽中的氟残留。上述方法还包括在去除凹槽中的氟残留之后，执行第二湿蚀刻工艺以增加凹槽的深度和宽度，其中第二湿蚀刻工艺在凹槽中导致额外的氟残留。上述方法还包括执行第二氧化工艺以去除凹槽中额外的氟残留。上述方法还包括在去除凹槽中额外的氟残留之后，使用溶剂对凹槽执行一清洁工艺。上述方法还包括在清洁工艺之后，在凹槽中形成一导电结构。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是可以实现本文描述的系统及/或方法的示例环境的示意图。

图2是本文描述的示例半导体结构的示意图。

图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G和3H是本文描述的示例性实施的示意图。

图4A、4B、4C、4D、4E和4F是本文描述的示例性实施的示意图。

图5和6是本文描述的示例性的装置结合示例性的半导体结构的示意图。

图7是本文描述图1的一或多个装置的示例性的元件的示意图。

图8是本文描述关于形成半导体结构的示例性的工艺流程图。

图9是本文描述关于形成半导体结构的示例性的工艺流程图。

附图标记说明：

100：环境

102：沉积机台