[发明专利]一种基于Micro LED的显示装置的制作方法以及显示装置有效
申请号: | 202210286105.2 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114664983B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 李军帅;孔玮;孙雪纯;楼巧珍;朱浩捷 | 申请(专利权)人: | 西湖大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/62;H01L27/15 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 贾然 |
地址: | 310024 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 micro led 显示装置 制作方法 以及 | ||
1.一种基于Micro LED的显示装置的制作方法,其特征在于,包括:
在驱动背板上按照预定规则设置标志位;
在所述驱动背板上沿垂直方向依次设置至少一个LED外延层;
在所述驱动背板上基于所述标志位对所述LED外延层进行阶梯型光刻以实现像素的横向排布;其中,
所述在所述驱动背板上基于所述标志位对所述LED外延层进行阶梯型光刻以实现像素的横向排布,包括:刻蚀所述LED外延层,将所述LED外延层形成阶梯,使各所述LED外延层在驱动背板所在平面上像素化,以使所述LED外延层对应的像素按照所述像素排布方式实现横向排布,无需对所述像素进行垂直方向上的光隔离。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述LED外延层通过以下方式制成:
在所述LED外延层的第一面沉积n型电极层;
在所述LED外延层的第二面沉积p型电极层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述LED外延层上沉积设置n型电极和p型电极。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述n型电极和所述p型电极设置在所述LED外延层的端面形成的台阶上。
5.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述n型电极和所述p型电极为欧姆电极。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
将所述LED外延层中的电极与所述驱动背板之间实现电连接。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在驱动背板上按照预定规则设置标志位中,所述标志位的位置与基于像素排布方式的像素的位置对应。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述LED外延层与所述驱动背板之间和/或不同的所述LED外延层之间通过键合介质连接。
9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
将所述LED外延层中的电极与所述驱动背板上的键合电极对应连接。
10.一种显示装置,其特征在于,采用上述权利要求1-9中任一项的制作方法制成。
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