[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210288069.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114864484A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
在一第一介电层中形成一开口，使得一下部导电层的一部分暴露在该开口的一底部；
在该下部导电层的该部分、该开口的一内侧壁以及该第一介电层的一上表面上方形成一或多个衬垫导电层；
在该一或多个衬垫导电层上方形成一主要导电层；
借由图案化该主要导电层与该一或多个衬垫导电层，以形成一图案化导电层；以及
在该图案化导电层上方形成一覆盖导电层，
其中被图案化的该主要导电层被该覆盖导电层及该一或多个衬垫导电层的一者围绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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