[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

在制造半导体装置的方法中，在第一介电层中形成开口，使得下部导电层的一部分在开口的底部暴露，一或多个衬垫导电层形成在下部导电层的部分、开口的内侧壁及第一介电层的上表面的上方，主要导电层形成于一或多个衬垫导电层上方，图案化的导电层借由图案化主要导电层和一或多个衬垫导电层而形成，且覆盖导电层形成于图案化导电层上方。被图案化的主要导电层被覆盖导电层和一或多个衬垫导电层的一者围绕。

技术领域

本公开实施例是有关于制造半导体装置的方法、及半导体装置。

背景技术

随着具有更好性能的消费设备响应消费者的需求变得越来越小，这些设备的各个组件的尺寸也必然减小。构成诸如移动电话、平板电脑等消费设备的主要组件的半导体装置已经变得越来越小。半导体装置尺寸的减小伴随着半导体制造技术的进步，例如在半导体电路、裸晶及/或芯片上形成再分布层(redistribution layer，RDL)结构，从而电性连接半导体装置(封装)中的主动装置。

发明内容

根据本公开一些实施例，提供一种制造半导体装置的方法，包括：在一第一介电层中形成一开口，使得一下部导电层的一部分暴露在开口的一底部；在下部导电层的部分、开口的一内侧壁以及第一介电层的一上表面上方形成一或多个衬垫导电层；在一或多个衬垫导电层上方形成一主要导电层；借由图案化主要导电层与一或多个衬垫导电层，以形成一图案化导电层；以及在图案化导电层上方形成一覆盖导电层。被图案化的主要导电层被覆盖导电层及一或多个衬垫导电层的一者围绕。

根据本公开一些实施例，提供一种制造半导体装置的方法，包括：在一第一介电层中形成一第一开口，使得一下部导电层的一部分暴露在第一开口的一底部；于下部导电层的部分、第一开口的一内侧壁及第一介电层的一上表面上形成一第一衬垫导电层；在第一衬垫导电层上方形成一第二衬垫导电层；在第二衬垫导电层上方形成一第三衬垫导电层；在第三衬垫导电层上方形成一主要导电层；借由将主要导电层与第一衬垫导电层、第二衬垫导电层及第三衬垫导电层图案化，以形成一图案化导电层；借由在图案化导电层上方形成一覆盖导电层来形成一再分布层；在再分布层上方形成一第二介电层；在第二介电层中形成一第二开口，使得再分布层的一部分暴露于第二开口的一底部；以及在第二开口中形成一电极，以接触再分布层。被图案化的主要导电层与第二介电层完全分离。

根据本公开一些实施例，提供一种半导体装置，包括一垫电极、一第二介电层、一再分布层、一第三介电层、以及一凸块电极。垫电极形成在一第一介电层中或上。第二介电层设置在第一介电层上方。再分布层具有穿过第二介电层并连接至垫电极的一通孔部分、以及设置在第二介电层的一上表面上的一布线部分。第三介电层设置在再分布层上方。凸块电极借由形成在第三介电层中的一开口连接至再分布层。再分布层包括一衬垫导电层、设置在衬垫导电层上方的一主要导电层、及一覆盖导电层，且主要导电层被覆盖导电层及衬垫导电层完全密封。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开。需要强调的是，根据业界的标准做法，各种特征未按比例绘制，且仅用于说明目的。事实上，为了讨论的清晰，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12示出了根据本公开的实施例的半导体装置的顺序制造操作(sequential manufacturing operation)的各个阶段的剖视图。

图13和图14示出了根据本公开的实施例的半导体装置的顺序制造操作的各个阶段的剖视图。

图15、图16、图17、图18A、图18B、图19A、图19B、图20和图21示出了根据本公开的实施例的半导体装置的顺序制造操作的各个阶段的剖视图。

图22示出了根据本公开实施例的半导体装置的剖视图。

图23、图24、图25、图26、图27和图28示出了根据本公开的实施例的半导体装置的顺序制造操作的各个阶段的剖视图。