[发明专利]用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备及方法

权利要求书

1.一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成层的方法，包括：

在所述半导体晶片的所述中央区处上沉积一层涂布材料，所述层由所述涂布材料形成；

使所述半导体晶片围绕轴线旋转，藉由离心力促使所述涂布材料从所述中央区向所述半导体晶片的所述外部边缘扩展开来；以及

在靠近所述半导体晶片的所述外部边缘的一或多个区域中产生压差。

2.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述压差包括：

使气体流过一或多个销孔，所述销孔延伸穿过靠近并至少部分环绕所述半导体晶片的所述外部边缘的壁，所述壁具有面向所述半导体晶片的所述外部边缘的内表面和与所述内表面相对的外表面，并且所述销孔中的每一者限定出所述壁的所述内表面处的内部开口和所述壁的所述外表面处的外部开口。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述压差将所述涂布材料牵引到所述半导体晶片的所述外部边缘。

4.一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成层的旋涂机，包括：

可旋转吸盘，配置为固持所述半导体晶片；以及

喷嘴，设置为在固持在所述可旋转吸盘上的所述半导体晶片的所述中央区选择性地沉积涂布材料，所述涂布材料形成所述层，其中所述半导体晶片藉由所述可旋转吸盘的旋转而围绕轴线旋转并产生离心力，促使所述涂布材料从所述中央区向所述半导体晶片的所述外部边缘扩展开来；

流场稳定器，包括：

环状壁，设置成使得当所述半导体晶片被固定到所述可旋转吸盘时，所述环状壁靠近并环绕所述半导体晶片的所述外部边缘，所述环状壁具有面向所述半导体晶片的所述外部边缘的内表面和与所述内表面相对的外表面；以及

一或多个销孔，从所述内表面延伸穿过所述环状壁到所述外表面，所述销孔的每一者在所述环状壁的所述内表面处限定出内部开口并在所述环状壁的所述外表面处限定出外部开口；以及

气流产生器，产生气流，所述气流的至少一部分被引导以沿着所述流场稳定器的所述壁的所述外表面的外侧流动并经过所述销孔的所述的外部开口。

5.根据权利要求4所述的旋涂机，其中：

由所述销孔的每一者所限定的所述内部开口具有第一几何面积，由所述销孔的每一者所限定的所述外部开口具有第二几何面积，所述第二几何面积大于所述第一几何面积。

6.根据权利要求4所述的旋涂机，其中沿所述流场稳定器的所述壁的所述外表面的所述外侧流动并经过所述销孔的所述外部开口的所述气流的所述至少一部分产生局部压差，与所述销孔的所述内部开口相比，所述局部压差包括在所述销孔的所述外部开口处的相对较低压力区域。

7.根据权利要求4所述的旋涂机，还包括：

顶杯部，具有环状唇缘，所述环状唇缘朝所述轴线向内延伸，所述环状唇缘和所述流场稳定器的所述壁的所述外表面在其两者之间限定出环状间隙，所述气流的所述至少一部分被引导通过所述环状间隙。

8.一种用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备，包括：

沉积机，选择性地在所述半导体晶片上沉积涂布材料；

吸盘，固持所述半导体晶片以使所述半导体晶片与所述吸盘一起旋转，从而将所述涂布材料向所述半导体晶片的外部边缘扩展开来；

壁，靠近并至少部分环绕所述半导体晶片的所述外部边缘；以及

一或多个销孔，延伸穿过所述壁，所述销孔的每一者在所述壁的内表面处限定出内部开口并在所述壁的外表面处限定出外部开口，其中藉由使气体沿着所述壁的所述外表面流动并流过所述销孔的所述外部开口，在所述销孔上产生局部压差，所述局部压差用于将所述涂布材料牵引至所述半导体晶片的所述外部边缘。

9.根据权利要求8所述的旋涂设备，还包括：

控制器，调节所述沉积机和所述吸盘中的至少一者的操作；以及

用户接口，可由用户选择性地使用以向所述控制器输入指令，以使所述控制器根据所述指令调节所述沉积机和所述吸盘中的至少一者的所述操作。

10.根据权利要求9所述的旋涂设备，还包括：

气流产生器，用于沿着所述壁的所述外表面产生气流，并流过所述销孔的所述外部开口。