[发明专利]用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备及方法在审

专利信息
申请号: 202210294601.2 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN116092969A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 李永尧;陈永祥 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/683
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 晶片 形成层 设备 方法
【说明书】:

一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成有均匀厚度的层的方法及旋涂机。所述方法包括在半导体晶片的中央区处上沉积一层涂布材料,所述层由涂布材料形成;使半导体晶片围绕轴线旋转,藉由离心力促使涂布材料从中央区向半导体晶片的外部边缘扩展开来;以及在靠近半导体晶片的外部边缘的一或多个区域中产生压差。

技术领域

发明的实施例是涉及一种半导体设备及方法,特别是涉及一种用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备及方法。

背景技术

以下涉及半导体技术,特别是在半导体制造过程中,提高旋涂层的厚度均匀性的方法和设备。

发明内容

根据一些实施例,一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成层的方法包括在所述半导体晶片的所述中央区处上沉积一层涂布材料,所述层由所述涂布材料形成;使所述半导体晶片围绕轴线旋转,藉由离心力促使所述涂布材料从所述中央区向所述半导体晶片的所述外部边缘扩展开来;以及在靠近所述半导体晶片的所述外部边缘的一或多个区域中产生压差。

根据一些实施例,一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成层的旋涂机包括配置为固持所述半导体晶片的可旋转吸盘;设置为在固持在所述可旋转吸盘上的所述半导体晶片的所述中央区选择性地沉积涂布材料的喷嘴,所述涂布材料形成所述层,其中所述半导体晶片藉由所述可旋转吸盘的旋转而围绕轴线旋转并产生离心力,促使所述涂布材料从所述中央区向所述半导体晶片的所述外部边缘扩展开来;流场稳定器以及产生气流的气流产生器。流场稳定器包括环状壁以及一或多个销孔,环状壁设置成使得当所述半导体晶片被固定到所述可旋转吸盘时,所述环状壁靠近并环绕所述半导体晶片的所述外部边缘,所述环状壁具有面向所述半导体晶片的所述外部边缘的内表面和与所述内表面相对的外表面,销孔从所述内表面延伸穿过所述环状壁到所述外表面,所述销孔的每一者在所述环状壁的所述内表面处限定出内部开口并在所述环状壁的所述外表面处限定出外部开口。所述气流的至少一部分被引导以沿着所述流场稳定器的所述壁的所述外表面的外侧流动并经过所述销孔的所述的外部开口。

根据一些实施例,一种用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备包括选择性地在所述半导体晶片上沉积涂布材料的沉积机;吸盘,固持所述半导体晶片以使所述半导体晶片与所述吸盘一起旋转,从而将所述涂布材料向所述半导体晶片的外部边缘扩展开来;壁,靠近并至少部分环绕所述半导体晶片的所述外部边缘;以及一或多个销孔,延伸穿过所述壁,所述销孔的每一者在所述壁的内表面处限定出内部开口并在所述壁的外表面处限定出外部开口,其中藉由使气体沿着所述壁的所述外表面流动并流过所述销孔的所述外部开口,在所述销孔上产生局部压差,所述局部压差用于将所述涂布材料牵引至所述半导体晶片的所述外部边缘。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本公开的各个方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的大小。

图1示意性地示出了用于根据本文公开的一些实施例在半导体晶片上形成旋涂层的旋涂机的剖面图。

图2示意性地示出了用于根据本文公开的一些实施例在半导体晶片上形成旋涂层的旋涂机的部分分解立体图,其中选定部件的一部分在视图中已被切除。

图3是示出根据本文公开的一些实施例在半导体晶片上旋涂层的方法及/或工艺的流程图。

图4图解说明根据本文公开的一些实施例用于在半导体晶片上旋涂层的旋涂设备。

附图标号说明

100:旋涂机;

110:顶杯部;

114、124、134:侧壁;

116、136:环状唇缘;

120:中间杯部;

122:上层;

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