[发明专利]防倒灌的接口电路在审

专利信息
申请号: 202210296611.X 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114629488A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 丁维贤;肖建宏 申请(专利权)人: 芯翼信息科技(上海)有限公司;芯翼信息科技(南京)有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0185;G06F13/40
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 倒灌 接口 电路
【说明书】:

本发明提供了一种防倒灌的接口电路,包括供电模块、栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块、输出驱动级模块和晶体管,当芯片进入低功耗状态后,所述浮空阱模块输送第一高电位至所述栅跟踪模块,所述栅跟踪模块接收所述第一高电位后输出第二高电位至所述晶体管的控制端,以断开所述供电模块与所述输出驱动级模块的电连接。实现了防倒灌,避免了芯片被误唤醒;通过栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块和晶体管的配合来实现防倒灌,对芯片的电压或电流防倒灌更加稳定可靠;通过所述浮空阱模块稳定所述浮空阱模块的电位,使得浮空阱模块提供稳定的第一高电位,进一步提高了防倒灌稳定性,解决了现有技术中的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及防倒灌的接口电路。

背景技术

当芯片处于低功耗的省电模式模式时,如芯片进入睡眠状态后,此时通用型输入输出接口(General-purpose input/output,GPIO)电源的IO端的电压为0,此时若GPIO外围接口仍挂载有电的IO接口时,由于GPIO的外围与内部存在电势差,外围的IO接口的电压或电流会从GPIO倒灌回芯片电源,从而误唤醒芯片。

公开号为CN 203243306 U的中国专利公开了芯片复用信号接口防倒灌电路,包括二极管D1、 三极管T1、 电阻R1和电阻R2, 所述的二极管D1的负极与系统硬件接口连接,二极管D1的正极与三极管T1的发射极E连接;所述的三极管T1的基集B与芯片输出引脚连接, 三极管T1的集电极C接地 ;所述的电阻R1和电阻R2并联且均与二极管D1的正极连接,电阻R2还与芯片输出引脚连接。该实用新型通过在硬件接口与三极管T1间添加肖特基二极管D1以起到防倒灌作用,保证5V或9V电源无法灌入UART电路,但是该实用新型只通过一个肖特基二极管来防倒灌,防倒灌并不稳定。

因此,有必要提供一种防倒灌的接口电路以解决上述的现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于一种防倒灌的接口电路,以解决芯片的倒灌和防倒灌不稳定的问题。

为实现上述目的,本发明的所述防倒灌的接口电路,包括供电模块、栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块、输出驱动级模块和晶体管,所述供电模块连接所述栅跟踪模块、所述浮空阱模块和所述浮空阱稳定模块,所述栅跟踪模块连接所述晶体管的控制动端和所述浮空阱模块,所述晶体管的源极连接所述供电模块,所述晶体管的漏极连接所述输出驱动级模块,所述浮空阱模块连接所述浮空阱稳定模块,所述浮空阱模块用于稳定所述浮空阱模块的电位;

当芯片进入低功耗状态后,所述浮空阱模块输送第一高电位至所述栅跟踪模块,所述栅跟踪模块接收所述第一高电位后输出第二高电位至所述晶体管的控制端,以断开所述供电模块与所述输出驱动级模块的电连接。

本发明的所述防倒灌的接口电路的有益效果在于:所述防倒灌的接口电路,包括供电模块、栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块、输出驱动级模块和晶体管,当芯片进入进入低功耗状态后,所述浮空阱模块输送第一高电位至所述栅跟踪模块,所述栅跟踪模块接收所述第一高电位后输出第二高电位至所述晶体管的控制端,以断开所述供电模块与所述输出驱动级模块的电连接,从而避免了电流倒灌至所述输出供电极模块,实现了防倒灌,避免了芯片被误唤醒;通过栅跟踪模块、浮空阱模块、浮空阱稳定模块和晶体管的配合来实现防倒灌,对芯片的电压或电流防倒灌更加稳定可靠;通过所述浮空阱模块稳定所述浮空阱模块的电位,进一步提高了防倒灌稳定性。

可选地,所述供电模块包括电池、IO电源和外部电源,所述电池连接所述IO电源,所述IO电源连接所述栅跟踪模块、所述晶体管的源极、所述浮空阱模块和所述浮空阱稳定模块,所述外部电源通过倒灌端连接所述晶体管的漏极。

可选地,所述浮空阱模块包括第一PMOS管和浮空N阱,所述第一PMOS管的栅极连接所述IO电源,所述第一PMOS管的衬底和源极短接且连接所述浮空N阱,所述第一PMOS管的源极连接所述倒灌端。

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