[发明专利]一种连续式ALD镀膜设备

说明书

本发明提供了一种连续式ALD镀膜设备，涉及原子层沉积技术领域。其中，这种连续式ALD镀膜设备包含箱体组件、真空组件、驱动组件和检测组件。箱体组件包括依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体。加热腔体设置有加热腔室。连接腔体内设置有用以给工件镀膜的镀膜腔室。冷却腔体设置有冷却腔室。加热腔室和冷却腔室分别能够连通于镀膜腔室。真空组件接合于箱体组件用以抽真空，从而使得加热腔室和冷却腔室能够真空连接于镀膜腔室。驱动组件接合于箱体组件，用以驱使工件在加热腔室、镀膜腔室和冷却腔室之间移动。检测组件接合于箱体组件，用以检测工件或者承载工件的载盘组件。镀膜腔室始终处于真空状态，而不会接触到外界的空气，因此大大提高了生产过程中的洁净度，提高了产品的质量，具有很好的实际意义。

技术领域

本发明涉及原子层沉积技术领域，具体而言，涉及一种连续式ALD镀膜设备。

背景技术

原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。并且，沉积层具有极均匀的厚度和优异的一致性。

一个ALD镀膜过程至少包含：1、将晶圆盘(硅片，即镀膜产品)放入镀膜设备内；2、镀膜设备内的温度加热至反应温度；3、往镀膜设备内通入前躯体A；4、清除镀膜设备内的前驱体A，使其晶圆盘表面吸附一层前驱体A； 5、往镀膜设备内通入前躯体B；6、清除镀膜设备内的前驱体B，使晶圆盘表面的前驱体A和前驱体B进行反应，而在晶圆盘表面镀上一层需要的原子层。

在先技术中，通常是将晶圆盘放入到镀膜设备的一个腔体内，然后依次进行上述几个步骤，从而实现在晶圆盘上完成镀膜。现有设备由于密封结构不合理，因此在生产过程中洁净度不够，产品质量较低、不良品较多。

有鉴于此，申请人在研究了现有的技术后特提出本申请。

发明内容

本发明提供了一种连续式ALD镀膜设备，旨在改善ALD镀膜过程中洁净度不够的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种连续式ALD镀膜设备，其包含箱体组件、真空组件、驱动组件和检测组件。

箱体组件包括依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体。加热腔体设置有加热腔室。连接腔体内设置有用以给工件镀膜的镀膜腔室。冷却腔体设置有冷却腔室。加热腔室和冷却腔室分别能够连通于镀膜腔室。真空组件接合于箱体组件，用以抽真空，从而使得加热腔室和冷却腔室能够真空连接于镀膜腔室。驱动组件接合于箱体组件，用以驱使工件在加热腔室、镀膜腔室和冷却腔室之间移动。检测组件接合于箱体组件，用以检测工件或者承载工件的载盘组件。

通过采用上述技术方案，本发明可以取得以下技术效果：

将ALD镀膜设备设置成依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体，并且通过真空组件使得工件在两个腔体之间移动的时候处于真空环境，从而保证镀膜腔室始终处于真空状态，而不会接触到外界的空气，因此大大提高了生产过程中的洁净度，提高了产品的质量，具有很好的实际意义。

附图说明

图1是连续式ALD镀膜设备的轴测图；

图2是连续式ALD镀膜设备的半剖图；

图3是连接腔体的爆炸图；

图4是连接腔室内部的爆炸图；

图5是镀膜腔体的爆炸图；

图6是镀膜腔体的爆炸图(隐藏箱体)；

图7是冷却腔室的轴测图；

图8是驱动构件的第一爆炸图；

图9是驱动构件的第二爆炸图；