[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上包括间隔设置的电极柱；

将所述基底设置在第一腔体内，并在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述电极柱；

将所述基底转移至第二腔体内，并向所述第二腔体内通入惰性气体，以移除所述第二腔体内的水汽；

向所述第二腔体内通入前驱体和反应气体，以在所述第一介质层上形成第二介质层；

对所述第二腔体进行抽真空处理，以移除所述第二腔体内的水汽，且所述第二腔体内的压力小于通入所述惰性气体时所述第二腔体内的压力。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在进行抽真空处理之后，还包括：在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层的材料与所述第一介质层的材料相同。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第三介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第三介质层为非晶结构。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度大于所述第二介质层的厚度，所述第二介质层的带宽大于所述第一介质层的带宽。

6.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成第三介质层之后，还包括：

在所述第三介质层上形成所述第四介质层，所述第四介质层的材料与所述第二介质层的材料相同。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第三介质层之后，形成所述第四介质层之前，还包括：

向所述第二腔体内再次通入惰性气体，以移除所述第二腔体内的水汽；

其中，在形成所述第四介质层之前向所述第二腔体内通入所述惰性气体的时间小于在形成所述第二介质层之前向所述第二腔体内通入所述惰性气体的时间。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第四介质层之后，还包括：

再次对所述第二腔体进行抽真空处理，以移除所述第二腔体内的水汽；

其中，在形成所述第二介质层之后所述腔体的抽真空处理的时间大于在形成所述第四介质层之后所述第二腔体的抽真空处理的时间。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述第四介质层之后，还包括在所述第四介质层上形成电极层。

10.根据权利要求1或7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，向所述腔体内通入所述惰性气体时，所述惰性气体的流量为800sccm-2000sccm，所述腔体内的压力为0.5torr-2.0torr。

11.根据权利要求1或8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在对所述腔体抽真空处理之后，所述腔体内的压力为0.2torr-2.0torr。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体的流量为2000sccm-4000sccm，所述腔体内的压力为0.5torr-2.0torr，所述腔体内的温度为300-400摄氏度。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述前驱体的流量为80sccm-200sccm，所述腔体内的压力为0.5torr-2.0torr，所述腔体内的温度为300-400摄氏度。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二介质层之前，向所述腔体内通入所述惰性气体的时间为8s-20s；在形成所述第四介质层之前，向所述腔体内通入所述惰性气体的时间为4s-8s。

15.根据权利要求1-9中任一所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一介质层包括氧化锆层，所述第二介质层包括氧化铝层。