[发明专利]一种水平调节系统在审
申请号: | 202210312420.8 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN114594115A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 林雄;肖松文;左太森;马长利;程贺 | 申请(专利权)人: | 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | G01N23/202 | 分类号: | G01N23/202;G01N23/20025 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 李林 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水平 调节 系统 | ||
本发明属于中子散射谱仪技术领域,公开一种水平调节系统,该水平调节系统包括真空箱体、粗调机构、精调机构以及密封支撑机构;粗调机构包括第一支撑柱,第一支撑柱支撑连接于真空箱体;精调机构设置于真空腔内且与真空腔的内壁形成间隔,准直系统安装于精调机构上;密封支撑机构包括第二支撑柱以及波纹管,第二支撑柱的一端固定连接于粗调机构,第二支撑柱的另一端穿过真空箱体的箱壁并支撑连接于精调机构,波纹管套设于第二支撑柱的外周,且波纹管的一端密封连接于粗调机构,波纹管的另一端密封连接于真空箱体。本发明将精调机构与真空腔的内壁间隔设置,避免准直系统受到真空箱体形变的影响,提高准直系统在真空箱体内的准直精度。
技术领域
本发明涉及中子散射谱仪技术领域,尤其涉及一种水平调节系统。
背景技术
小角中子散射谱仪是一种利用严格准直的中子束流研究物质内部微观尺度(1纳米至数百纳米)结构的实验平台,在新药开发、新能源、新材料等方面有着广泛的应用,为国家的基础和应用研究提供有力支撑。传统的小角中子散射谱仪(SANS)通常采用针孔几何测试方案,其特点是利用中子导管将热中子和冷中子从慢化器表面引出,然后使用一个源光阑和一个样品光阑对入射中子束进行准直,准直后的中子被样品散射后被探测器接收,通过统计和分析中子到达探测器表面的位置推测样品的内部结构。由于中子容易与空气分子相互作用,所以中子导管和光阑都需要放置于真空环境。因此,开发能够在真空中工作,具有良好运动精度的切换机构对谱仪中子通量的提高和实现灵活多变的模式十分必要。
现有技术中,中子散射谱仪的水平切换系统的结构主要是真空腔体与内部支撑高精度装置直接连接,并没有充分考虑腔体真空变形导致的内部部件精度的降低。
发明内容
本发明的一个目的在于:提供一种水平调节系统,将精调机构与真空腔的内壁间隔设置,避免准直系统受到真空箱体形变的影响,提高准直系统在真空箱体内的准直精度。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种水平调节系统,用于调节中子散射谱仪的准直系统的工作位置,所述水平调节系统包括:
真空箱体,所述真空箱体的内部形成真空腔;
粗调机构,所述粗调机构包括第一支撑柱,所述第一支撑柱支撑连接于所述真空箱体;
精调机构,设置于所述真空腔内且与所述真空腔的内壁形成间隔,所述准直系统安装于所述精调机构上;
密封支撑机构,所述密封支撑机构包括第二支撑柱以及波纹管,所述第二支撑柱的一端固定连接于所述粗调机构,所述第二支撑柱的另一端穿过所述真空箱体的箱壁并支撑连接于所述精调机构,所述波纹管套设于所述第二支撑柱的外周,且所述波纹管的一端密封连接于所述粗调机构,所述波纹管的另一端密封连接于所述真空箱体。
作为一种可选的技术方案,所述粗调机构还包括第一基板、Z轴调节组件以及第二基板,所述第一基板安装在工作台或者地面上,所述第二基板位于所述第一基板的上方,所述Z轴调节组件连接于所述第一基板与所述第二基板之间,所述Z轴调节组件用于调节所述第二基板在Z轴方向上的位置。
作为一种可选的技术方案,所述粗调机构还包括第三基板和平面调节组件,所述第三基板安装于所述第二基板上,所述密封支撑机构和所述第一支撑柱均安装于所述第三基板上,所述平面调节组件连接于所述第三基板与所述第二基板之间,所述平面调节组件用于调节所述第三基板在XY平面上的位置。
作为一种可选的技术方案,所述粗调机构还包括锁紧组件,所述锁紧组件安装于所述第三基板上,所述锁紧组件用于将所述第三基板与所述第二基板锁紧。
作为一种可选的技术方案,所述密封支撑机构还包括密封圈,所述波纹管与所述粗调机构之间以及所述波纹管与所述真空箱体之间均设置有所述密封圈。
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