[发明专利]硅片切割方法及电池

权利要求书

1.一种硅片切割方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用激光对硅片进行切割，且在进行所述切割的同时，对所述硅片的切割位置进行喷雾处理，得到切割后的硅片；所述喷雾处理采用的喷雾试剂包括过氧化氢溶液；

将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡；或

对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理，所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1～C20烷烃和氟取代的C2～C20烯烃中的至少一种。

2.如权利要求1所述的硅片切割方法，其特征在于，所述切割和所述喷雾处理的步骤具体包括如下步骤：

将激光源和喷雾装置设于所述硅片的下方，所述喷雾装置装有所述喷雾试剂；

所述激光源发射激光对所述硅片进行切割；与此同时，所述喷雾装置喷射喷雾对所述硅片的切割位置进行所述喷雾处理。

3.如权利要求1～2任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理在氢气的氛围下进行。

4.如权利要求3所述的硅片切割方法，其特征在于，所述等离子源与所述氢气的体积比为1：(0.2～2)。

5.如权利要求3所述的硅片切割方法，其特征在于，所述等离子刻蚀处理的工艺参数为：射频功率为300W～1200W，所述等离子源的气体流量为100sccm～1000sccm，所述氢气的气体流量为100sccm～2000sccm。

6.如权利要求1～2任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，所述等离子源为四氟化碳。

7.如权利要求1～2任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，所述过氧化氢溶液由过氧化氢原液与水按照体积比5：100混合制得，所述过氧化氢原液的浓度为1.11g/mL～3.33g/mL。

8.如权利要求1～2任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液由氢氟酸原液与水按照体积比2：100混合制得，所述氢氟酸原液的浓度为1.18g/mL～2.36g g/mL。

9.如权利要求1～2任一项所述的硅片切割方法，其特征在于，所述激光的功率为5W～30W，波长为200nm～950nm。

10.一种电池，其特征在于，所述电池包含如权利要求1～9任一项所述的硅片切割方法制得的硅片。