[发明专利]硅片切割方法及电池

说明书

本发明涉及硅片切割方法及电池。该硅片切割方法采用激光对硅片进行切割，且在进行所述切割的同时，对所述硅片的切割位置进行喷雾处理，得到切割后的硅片；所述喷雾处理采用喷雾试剂包括过氧化氢溶液；将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡；或对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理，所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1～C20烷烃和氟取代的C2～C20烯烃中的至少一种。该方法能消除激光切割面的凹凸、毛刺、锯齿边等切割异常的部分，能够使得切割面光滑平整。

技术领域

本发明涉及电池技术领域，特别是涉及一种硅片切割方法及电池。

背景技术

光伏电池片经历了从BSF到PERC再到HJT(又称HIT)的三代技术进步。其中，HJT电池简称异质结电池，相比于传统的太阳能电池，HJT电池的优点主要表现为：比当前使用的PERC电池具有更高的提升潜力，具有较低的温度系数和低光致衰减，稳定性高，且HJT工艺制备流程相对简化，它以N型单晶硅片作衬底，经制绒、非晶硅薄膜沉积、金属氧化物导电层TCO制备、丝网印刷制作正负电极导出电流等4个步骤，而PERC电池为了实现较高的转化效率，需要叠加多种技术，工艺步骤多达8步，由此带来了更高的成本。

由于异质结电池的特殊性，可以在生产开始之前先对硅片进行激光切割，然后再进行后续的制程工艺，避免整片电池片在组件端进行半片切割时所造成的效率损失，硅片切割是异质结电池制造工艺中的关键部分，而在激光切割时会在硅片的切割面形成大量毛刺、凸起以及严重的锯齿状切割面，难以形成较平整的切割面。

因此，现有技术仍有待改进。

发明内容

基于此，本发明提供一种硅片切割方法及电池，该硅片切割方法，能消除激光切割面的凹凸、毛刺、锯齿边等切割异常问题，能够使得切割面光滑平整。

本发明的一个方面，提供了一种硅片切割方法，包括如下步骤：

采用激光对硅片进行切割，且在进行所述切割的同时，对所述硅片的切割位置进行喷雾处理，得到切割后的硅片；所述喷雾处理采用的喷雾试剂包括过氧化氢溶液；

将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡；或

对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理，所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1～C20烷烃和氟取代的C2～C20烯烃中的至少一种。

在其中一些实施例中，所述切割和所述喷雾处理的步骤具体包括如下步骤：

将激光源和喷雾装置设于所述硅片的下方，所述喷雾装置装有所述喷雾试剂；

所述激光源发射激光对所述硅片进行切割；与此同时，所述喷雾装置喷射喷雾对所述硅片的切割位置进行所述喷雾处理。

在其中一些实施例中，所述等离子刻蚀处理在氢气的氛围下进行。

在其中一些实施例中，所述等离子源与所述氢气的体积比为1：(0.2～2)。

在其中一些实施例中，所述等离子刻蚀处理的工艺参数为：射频功率为300W～1200W，所述等离子源的气体流量为100sccm～1000sccm，所述氢气的气体流量为100sccm～2000sccm。

在其中一些实施例中，所述等离子源为四氟化碳。

在其中一些实施例中，所述过氧化氢溶液由过氧化氢原液与水按照体积比5：100混合制得，所述过氧化氢原液的浓度为1.11g/mL～3.33g/mL。

在其中一些实施例中，所述氢氟酸溶液由氢氟酸原液与水按照体积比2：100混合制得，所述氢氟酸原液的浓度为1.18g/mL～2.36gg/mL。

在其中一些实施例中，所述激光的功率为5W～30W，波长为200nm～950nm。