[发明专利]薄膜沉积装置及其布气机构在审

专利信息
申请号: 202210325415.0 申请日: 2022-03-29
公开(公告)号: CN114875387A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 朱双双;刘强;吴兴华;黎微明 申请(专利权)人: 江苏微导纳米科技股份有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/455
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李申
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 沉积 装置 及其 机构
【说明书】:

本申请公开了一种薄膜沉积装置及其布气机构,布气机构包括沿第一方向依次设置的喷淋背板、均气板、匀流板和喷淋板;其中,喷淋背板和喷淋板共同形成喷淋头,均气板和匀流板位于喷淋头内,匀流板和喷淋背板之间形成第一均气腔,匀流板和喷淋板之间形成第二均气腔,均气板设于第一均气腔内;喷淋背板在面对均气板的位置设有第一通孔;均气板设有贯通的均气孔;匀流板设有贯通的匀流孔,匀流孔用于使工艺气体从第一均气腔进入第二均气腔;喷淋板设有贯通的喷淋孔。本申请提供的薄膜沉积装置及其布气机构,能够提高布气均匀性,从而提高薄膜沉积均匀性。

技术领域

本申请涉及光伏生产技术领域,特别是涉及一种薄膜沉积装置及其布气机构。

背景技术

随着太阳能发电的普及,光伏产品的需求量越来越大,对制造光伏产品的设备要求越来越高。制造光伏产品的设备不仅要增加产能,而且硅片尺寸越来越大,对电池片效率要求也越来越高。

异质结电池片工艺理论效率达到28%以上,是目前理论效率最高的工艺路线,并且该工艺路线工序简单,只有4道工序,比目前主流的PERC(Passivated Emitter and RearCell,射极钝化及背电极)和TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)工艺路线减少5道以上工序,具有极好的发展前景。

异质结电池工艺流程的4道工序分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝网印刷电极。其中非晶硅薄膜可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,等离子体增强化学气相沉积法)来进行沉积。

现有技术中,部分PECVD薄膜沉积设备为了提高产能,将腔体做大,但腔体扩大后,薄膜沉积均匀性下降。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种薄膜沉积装置及其布气机构,能够提高布气均匀性,从而提高薄膜沉积均匀性。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种薄膜沉积装置的布气机构,包括:

包括沿第一方向依次设置的喷淋背板、均气板、匀流板和喷淋板;

其中,所述喷淋背板和所述喷淋板共同形成喷淋头,所述均气板和所述匀流板位于所述喷淋头内,所述匀流板和所述喷淋背板之间形成第一均气腔,所述匀流板和所述喷淋板之间形成第二均气腔,所述均气板设于所述第一均气腔内;所述喷淋背板在面对所述均气板的位置设有第一通孔;所述均气板设有贯通的均气孔;所述匀流板设有贯通的匀流孔,所述匀流孔用于使所述工艺气体从所述第一均气腔进入所述第二均气腔;所述喷淋板设有贯通的喷淋孔。

进一步地,所述薄膜沉积装置的布气机构还包括第一进气管和进气法兰,所述第一进气管的出口与所述进气法兰相连,所述第一进气管和所述进气法兰位于所述喷淋背板背离所述均气板的一侧;所述第一通孔和所述进气法兰的内壁形成进气口;在所述第一方向上,所述进气口的直径逐渐增大,且所述均气孔和所述匀流孔错开,所述匀流孔和所述喷淋孔错开。

进一步地,所述薄膜沉积装置的布气机构还包括至少两个第一连接组件,用于将所述匀流板、所述喷淋板以及所述喷淋背板固定相连。

进一步地,所述第一连接组件包括第一紧固件,所述喷淋背板设有用于安装所述第一紧固件的第二通孔,所述匀流板设有供所述第一紧固件穿设的第三通孔,所述喷淋板设有用于安装所述第一紧固件的第四通孔;

其中,所述第四通孔与所述喷淋孔的位置重合,所述喷淋板在所述第四通孔的周侧设有至少两个斜孔,所述斜孔的一端与所述匀流板和所述喷淋板之间的空腔连通,另一端与所述第四通孔连通。

进一步地,所述第一连接组件还包括:

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