[发明专利]一种氧化锆陶瓷制备方法及氧化锆陶瓷识别卡在审
申请号: | 202210326487.7 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN114591081A | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 洪伟强;刘国旗;易海波;钟建桥 | 申请(专利权)人: | 湖南华联特种陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/622;G06K19/06 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 曾志鹏 |
地址: | 412200 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锆 陶瓷 制备 方法 识别 | ||
1.一种氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将质量分数为91-92%的氧化锆粉体、质量分数为0.3-0.5%的氧化铝粉体、质量分数为4.2-4.6%的氧化钇粉体和质量分数为3.3-3.9%的陶瓷色剂粉体加入混料桶内,混合均匀,得到预混粉体;
(2)将所述预混粉体和水按照1:0.4-0.7的比例加入球磨机内,再加入分散剂,混合均匀,得到固含量30-50%的初级浆料;
(3)将得到的所述初级浆料进行造粒喷雾,得到初级造粒粉,将所述初级造粒粉置于900-1050℃下煅烧,得到初级煅烧料;
(4)将所述初级煅烧料和水按照1:0.3-0.5的比例加入球磨机,再加入分散剂,混合均匀,得到固含量60-70%的二级浆料;
(5)缓慢加入PVA至所述二级浆料,搅拌均匀,然后将所述二级浆料进行造粒喷雾,得到二级造粒粉;
(6)将所述二级造粒粉压制成型,再在等静压下压紧,得到坯料;
(7)将所述坯料在730-830℃下保温脱脂,然后在1400-1500℃下保温烧结,即制得氧化锆陶瓷。
2.如权利要求1所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将质量分数为91.75%的氧化锆粉体、质量分数为0.35%的氧化铝粉体、质量分数为4.3%的氧化钇粉体和质量分数为3.6%的陶瓷色剂粉体加入混料桶内,混合均匀,得到预混粉体;
(2)将所述预混粉体和水按照1:0.4-0.7的比例加入球磨机内,再加入分散剂,混合均匀,得到固含量30-50%的初级浆料;
(3)将得到的所述初级浆料进行造粒喷雾,得到初级造粒粉,将所述初级造粒粉在900-1050℃下煅烧3h,得到初级煅烧料;
(4)将所述初级煅烧料和水按照1:0.3-0.5的比例加入球磨机,再加入分散剂,混合均匀,得到固含量60-70%的二级浆料;
(5)缓慢加入PVA至所述二级浆料,搅拌均匀,然后将所述二级浆料进行造粒喷雾,得到二级造粒粉;
(6)在90MPa的压力下将所述二级造粒粉压制成型,然后在190MPa的等静压下压紧,得到坯料;
(7)将所述坯料在730-830℃下保温3h脱脂,然后在1400-1500℃下保温3h烧结,即制得氧化锆陶瓷。
3.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氧化锆粉体为1.8-2.2Y的氧化锆粉体。
4.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(2)中,加入的所述分散剂与所述预混粉体的重量比为1~3:200。
5.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(4)中,加入的所述分散剂与所述初级煅烧料的重量比为1~3:200。
6.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(5)中,加入的PVC与所述二级浆料的重量比为1~3:200。
7.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(2)中加入的所述分散剂为PVA,步骤(4)中加入的所述分散剂为PVA。
8.如权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷制备方法,其特征在于,步骤(7)中,坯料的烧结温度为1450±20℃。
9.一种氧化锆陶瓷识别卡,其特征在于,包括陶瓷基体和信息识别芯片,所述陶瓷基体为权利要求1-8任一项所述的氧化锆陶瓷制备方法制得的氧化锆陶瓷,所述陶瓷基体上开设有容纳槽,所述信息识别芯片设置于所述容纳槽内。
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