[发明专利]一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其特征在于，其化学成分组成原子百分比为：Zr元素的原子百分数为0.69％-15.8％，其余为等原子比的TaWMoCr；所述TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的晶体结构为单相BCC固溶体，晶粒为纳米柱状晶，表面形貌为针片状，所述TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的厚度为2.1～2.7μm，纳米压痕硬度为12.4～14.7GPa，杨氏模量为172～201GPa。

2.一种权利要求1所述的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的制备方法，其特征在于，包括以下过程：

真空环境下，在干净的基体上采用两个TaWMoCr合金靶和一个Zr靶共溅射TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，然后冷却至室温得到TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层；

其中，TaWMoCr合金靶的溅射功率为100W，Zr靶的溅射功率≤60W，沉积气压0.3Pa，基盘转速15r/min，沉积时间20000s。

3.根据权利要求2所述的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的制备方法，其特征在于，所述TaWMoCr合金靶的原子百分比为，Ta:W:Mo:Cr＝29:29:23:19at.％。

4.根据权利要求2所述的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的制备方法，其特征在于，在对基体溅射前先对基体进行预处理：

首先，对基体进行超声清洗并烘干；

然后，对基体进行真空刻蚀，功率200W，气流量60sccm，刻蚀5分钟。

5.根据权利要求2所述的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的制备方法，其特征在于，所述基体为钢基体或单晶硅基体。