[发明专利]一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法有效
申请号: | 202210327869.1 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN114807880B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 王亚强;丁佳琪;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 tawmocrzr 难熔高熵 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法,Zr的原子百分比小于15.8at.%,其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层,其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源,Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体,具有纳米柱状晶结构,表面形貌为针片状,成分均匀,组织致密,厚度为2.1~2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能,扩展了高熵合金涂层的应用范围。
技术领域
本发明涉及金属表面改性领域,具体为一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法。
背景技术
高熵合金因其独特的结构和优异的综合性能而具有广阔的应用前景,成为近些年的研究热点。传统合金体系的设计理念是基于满足某些主要性能的要求,选择一种或两种主要元素,同时在合金化的过程中添加少量其他元素来提高合金的性能,如强度与韧性、耐腐蚀性、耐磨性等。而新兴的高熵合金则提出了一种全新的合金设计理念,其由多种元素以等原子比或近等原子比混合而成。传统合金的研究认为,合金体系中过多的元素易于形成脆性金属间化合物,从而使合金结构变得复杂。而对高熵合金的研究发现,其具有很高的混合熵和晶体内原子的迟滞扩散效应,容易获得热稳定性极高的简单固溶体,主要是面心立方(FCC)、体心立方(BCC)和密排六方(HCP)。而其独特的晶体结构又使得多主元高熵合金显现出许多优异的性能,如高强度,高韧性,优异的耐腐蚀性、耐磨损性、抗氧化性、抗辐照性和热稳定性等。
目前,NbMoTaW难熔高熵合金是研究最广泛的高熵合金种类之一,其具有稳定的单相体心立方结构,具有优异的高温力学性能和组织结构稳定性,可以在1600℃保持较高的强度;且各组元元素的扩散系数低,高温下能够表现出良好的阻扩特性和抗蠕变变形能力。然而,较差的抗高温氧化性能限制了其进一步的应用。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法,所制备的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层具有均匀的微观组织、良好的抗氧化性能以及优异的力学性能。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层,其化学成分组成原子百分比为:Zr元素的原子百分数小于15.8at.%,其余为等原子比的TaWMoCr。
优选的,所述TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的晶体结构为单相BCC固溶体,晶粒为纳米柱状晶,表面形貌为针片状。
优选的,所述TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的厚度为2.1~2.7μm。
一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层的制备方法,包括以下过程:
真空环境下,在干净的基体上采用TaWMoCr合金靶和Zr靶共溅射TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层,然后冷却至室温得到TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层;
其中,TaWMoCr合金靶的溅射功率为100W,Zr靶的溅射功率≤60W,沉积气压0.3Pa,基盘转速15r/min,沉积时间20000s。
优选的,采用两个TaWMoCr合金靶和一个Zr靶共溅射TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层。
优选的,所述TaWMoCr合金靶的原子百分比为,Ta:W:Mo:Cr=29:29:23:19at.%。
优选的,在对基体溅射前先对基体进行预处理:
首先,对基体进行超声清洗并烘干;
然后,对基体进行真空刻蚀,功率200W,气流量60sccm,刻蚀5分钟。
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