[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

一半导体基板，上述半导体基板具有一第一侧以及相对于上述第一侧的一第二侧；

一有源装置，位于上述半导体基板的上述第一侧；

一内连结构，位于上述半导体基板上，上述内连结构位于上述有源装置上，上述内连结构包含一第一金属化层、位于上述第一金属化层上的一第二金属化层、位于上述第二金属化层上的一第三金属化层以及位于上述第三金属化层上的一第四金属化层；

一第一穿孔，延伸穿过上述半导体基板，上述第一穿孔延伸穿过上述第一金属化层以及上述第二金属化层；以及

一第二穿孔，位于上述内连结构，上述第二穿孔延伸穿过上述第三金属化层以及上述第四金属化层，上述第二穿孔的一底面接触上述第一穿孔的一顶面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含位于上述内连结构的一第三穿孔，其中上述第二穿孔夹设于上述第一穿孔以及上述第三穿孔之间。

3.如权利要求1所述的半导体结构，进一步包含在上述第一金属化层以及上述第二金属化层之间的一第三金属化层，上述第一穿孔延伸穿过上述第三金属化层。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中上述第一穿孔的一上表面具有在0.2微米至3微米的一范围内的一第一宽度。

5.一种半导体结构，包含：

一晶体管，在一基板上；

一第一介电层，在上述晶体管上；

一第一金属化层，在上述第一介电层上；

一第二金属化层，在上述第一金属化层上；

一第一穿孔，延伸穿过上述第二金属化层、上述第一金属化层、上述第一介电层以及上述基板；

一第三金属化层，在上述第二金属化层上；

一第四金属化层，在上述第三金属化层上；

一第二穿孔，延伸穿过上述第四金属化层以及上述第三金属化层，上述第二穿孔的一底面接触上述第一穿孔的一顶面；

一重分配结构，在上述第四金属化层上，上述重分配结构包含一第一重分配层以及一第二重分配层；以及

一第三穿孔，延伸穿过上述第一重分配层以及上述第二重分配层，上述第三穿孔的一底面接触上述第二穿孔的一顶面。

6.如权利要求5所述的半导体结构，进一步包含在上述第三穿孔的一顶面上的一第一外部连接器。

7.一种半导体结构的形成方法，包含；

形成一内连结构的一第一部分于一基板上，上述基板包含一有源装置，上述内连结构的上述第一部分包含一第一介电层位于上述有源装置上、一第一金属化层位于上述第一介电层上以及一第二金属化层位于上述第一金属化层上；

形成一第一穿孔，穿过上述内连结构的上述第一部分以及穿入上述基板中；

形成上述内连结构的一第二部分于上述内连结构的上述第一部分上，上述内连结构的上述第二部分包含一第三金属化层位于上述第二金属化层上以及一第四金属化层位于上述第三金属化层上；以及

形成一第二穿孔，穿过上述内连结构的上述第二部分，上述第二穿孔接触上述第一穿孔。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，进一步包含：

形成一重分配结构于上述内连结构的上述第二部分上，上述重分配结构包含一第一重分配层位于上述第四金属化层上以及一第二重分配层位于上述第一重分配层上；以及

形成一第三穿孔，穿过上述第一重分配层以及上述第二重分配层，上述第三穿孔位于上述第二穿孔之上。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，进一步包含：

形成上述内连结构的一第三部分于上述内连结构的上述第二部分上，上述内连结构的上述第三部分包含一第五金属化层位于上述第四金属化层上以及一第六金属化层位于上述第五金属化层上；以及

形成一第四穿孔，穿过上述内连结构的上述第三部分，上述第四穿孔接触上述第二穿孔，上述第三穿孔接触上述第四穿孔。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，进一步包含形成一第一导电连接器于上述第三穿孔上。