[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本公开提出一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含半导体基板以及位于有源装置上的内连结构。内连结构包含第一层、位于第一层上的第二层、位于第二层上的第三层以及位于第三层上的第四层。第一穿孔延伸穿过半导体基板、第一层以及第二层。第二穿孔延伸穿过第三层以及第四层，且第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及半导体结构的穿孔及其形成方法。

背景技术

由于许多电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的整合密度的不断改善，半导体产业正面临迅速的成长。大致上而言，整合密度的改善源自于最小特征尺寸的不断地缩减，这允许更多元件被整合进一个给定的区域。随着缩小电子装置的需求增加，更小半导体裸片(die)及其之更有创意的工艺技术的需求便浮现了。

发明内容

在一实施方式中，提供一种半导体结构，包含半导体基板，半导体基板具有第一侧以及相对于第一侧的第二侧；有源装置，位于半导体基板的第一侧；内连结构，位于半导体基板上，内连结构位于有源装置上，内连结构包含第一金属化层、位于第一金属化层上的第二金属化层、位于第二金属化层上的第三金属化层以及位于第三金属化层上的第四金属化层；第一穿孔，延伸穿过半导体基板，第一穿孔延伸穿过第一金属化层以及第二金属化层；以及第二穿孔，位于内连结构，第二穿孔延伸穿过第三金属化层以及第四金属化层，第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面。

在另一个实施方式中，提供一种半导体结构，包含晶体管，在基板上；第一介电层，在晶体管上；第一金属化层，在第一介电层上；第二金属化层，在第一金属化层上；第一穿孔，延伸穿过第二金属化层、第一金属化层、第一介电层以及基板；第三金属化层，在第二金属化层上；第四金属化层，在第三金属化层上；第二穿孔，延伸穿过第四金属化层以及第三金属化层，第二穿孔的底面接触第一穿孔的顶面；重分配结构，在第四金属化层上，重分配结构包含第一重分配层以及第二重分配层；以及第三穿孔，延伸穿过第一重分配层以及第二重分配层，第三穿孔的底面接触第二穿孔的顶面。

在另一个实施方式中，提供一种半导体结构的形成方法，包含形成内连结构的第一部分于基板上，基板包含有源装置，内连结构的第一部分包含第一介电层位于有源装置上、第一金属化层位于第一介电层上以及第二金属化层位于第一金属化层上；形成第一穿孔，穿过内连结构的第一部分以及穿入基板中；形成内连结构的第二部分于内连结构的第一部分上，内连结构的第二部分包含第三金属化层位于第二金属化层上以及第四金属化层位于第三金属化层上；以及形成第二穿孔，穿过内连结构的第二部分，第二穿孔接触第一穿孔。

附图说明

本公开的各项层面在以下的实施方式搭配附带的图示一同阅读会有最好的理解。需要强调的是，依据产业的标准惯例，许多特征并没有按比例描绘而仅为描绘性的目的。事实上，为了讨论的清晰度，许多特征的尺寸可为任意的增加或缩减。

图1、图2、图3A、图3B、图4、图5A、图5B、图6、图7A、图8以及图9根据一些实施例，为形成半导体结构的工艺当中的中阶操作的剖面图。

图3C、图3D、图3E、图3F以及图7B根据一些实施例，为穿孔的俯视图。

图10根据一些实施例，为半导体裸片的剖面图。

附图标记如下：

50：半导体结构

50A,50B：装置区

51：切割道

60：半导体基板

62：装置

64：层间介电层

66：接点插塞

68：内连结构

72,74,76,82：介电绝缘层