[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210333140.5 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114758978A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/04;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸的Si基载盘；
A200，在所述外延层进行离子注入；
A300，在完成离子注入后的所述外延层的表面制备包覆层；
A400，将SiC衬底从所述Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；
A500，去除所述包覆层，在所述外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si基载盘。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A100，SiC衬底放置于所述Si基载盘后，采用封止层封止固定，所述封止层为CVD沉积的氧化物层，或涂布的SOG层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A400中，在从Si基载盘分离所述SiC衬底时，通过蚀刻工艺去除所述封止层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A200包括：
采用光刻工艺在所述外延层注入N+和P+。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A300中，所述包覆层为通过溅射工艺制备的C包覆层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A400中，进行高温离子激活工艺的温度不低于1800℃。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A500中，采用电浆蚀刻工艺去除所述包覆层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤A500中，沟槽氧化的温度范围为1350-1400℃。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述SiC衬的厚度范围为：100μm～400μm。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述SiC衬底的尺寸为6寸，所述Si基载盘的尺寸为8寸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
