[发明专利]一种半导体器件的制备方法

说明书

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸Si基载盘；A200，在外延层进行离子注入；A300，在完成离子注入后的外延层的表面制备包覆层；A400，将SiC衬底从Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；A500，去除包覆层，在外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si载盘。本发明通过将SiC衬底置于预设尺寸的Si基载盘，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，在半导体器件制备过程中，在涉及到高温操作步骤时，将SiC衬底与Si基载盘分离，避免高温损坏Si基载盘和封止层。本发明的制备方法，操作方便、流程合理。

技术领域

本发明涉及晶圆加工制备技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

半导体器件，如晶圆加工制备过程中，晶圆的薄度较小，通常需要在载板或载盘的支撑下进行加工工艺。现有的晶圆制备流水线多是单一尺寸(如8寸)的晶圆制备流水线，无法适应其他尺寸(如6寸)的晶圆。而且，晶圆制备过程中，涉及到高温离子激活、沟槽氧化等高温步骤，对载板和载盘及封止材料具有不同的耐高温要求，现有技术无法有效解决上述问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何利用现有流水线完成不同尺寸晶圆制备的需求，本发明提出一种半导体器件的制备方法。

根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，包括：

A100，在SiC衬底的表面制备外延层后置于预设尺寸Si基载盘；

A200，在所述外延层进行离子注入；

A300，在完成离子注入后的所述外延层的表面制备包覆层；

A400，将SiC衬底从所述Si基载盘分离后，进行高温离子激活工艺；

A500，去除所述包覆层，在所述外延层的表面沉积制备栅极和介电层、打开接触孔及完成沟槽氧化后，将SiC衬底放置回Si载盘。

根据本发明实施例的半导体器件的制备方法，通过将SiC衬底置于预设尺寸的Si基载盘，可以充分利用现有半导体器件尺寸的加工设备，降低设备更替成本。而且，在半导体器件制备过程中，在涉及到高温操作步骤时，将SiC衬底与Si基载盘分离，避免高温损坏Si基载盘和封止层。本发明的制备方法，操作方便、流程合理。

根据本发明的一些实施例，步骤A100中，SiC衬底放置于所述Si基载盘后，采用封止层封止固定，所述封止层为CVD沉积的氧化物层，或涂布的SOG层。

在本发明的一些实施例中，步骤A400中，在从Si基载盘分离所述SiC衬底时，通过蚀刻工艺去除所述封止层。

根据本发明的一些实施例，步骤A200包括：

采用光刻工艺在所述外延层注入N⁺和P⁺。

在本发明的一些实施例中，步骤A300中，所述包覆层为通过溅射工艺制备的C包覆层。

根据本发明的一些实施例，步骤A400中，进行高温离子激活工艺的温度不低于1800℃。

在本发明的一些实施例中，步骤A500中，采用电浆蚀刻工艺去除所述包覆层。

根据本发明的一些实施例，步骤A500中，沟槽氧化的温度范围为1350-1400℃。

在本发明的一些实施例中，所述SiC衬的厚度范围为：100μm～400μm。

根据本发明的一些实施例，所述SiC衬底的尺寸为6寸，所述Si基载盘的尺寸为8寸。

附图说明

图1为根据本发明实施例的半导体器件的制备方法流程图；