[发明专利]一种鳍式浮栅存储器件

权利要求书

1.一种鳍式浮栅存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

隔离层，其位于所述衬底一侧面；

鳍片，其位于所述隔离层远离所述衬底一侧面；

隧穿介质层，其包覆于所述鳍片外周；

浮栅，其包覆于所述隧穿介质层外周；

栅氧化层，其包覆于所述浮栅外周；

控制栅，其包覆于所述栅氧化层外周；

其中，所述隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为(2～3):1。

2.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述隧穿介质层的顶部厚度与侧壁的厚度比值为2:1。

3.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述控制栅与所述浮栅均采用多晶硅材料。

4.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述栅氧化层采用二氧化硅材料。

5.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述隧穿介质层所采用的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铪中的任一种。

6.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述隔离层的材料为二氧化硅。

7.如权利要求1所述的鳍式浮栅存储器件，其特征在于，所述浮栅的厚度为7～9nm，所述控制栅的厚度为4～6nm，所述栅氧化层的厚度为4～5nm。